Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO262-3, OptiMOSa5

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 1.081,10

(ekskl. moms)

Kr. 1.351,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 450 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 21,622Kr. 1.081,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-3013
Producentens varenummer:
IPI076N15N5AKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

112A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

PG-TO262-3

Serie

OptiMOSa5

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

7.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

61nC

Effektafsættelse maks. Pd

214W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineons effekt-MOSFET'er er særligt velegnede til lavspændingsdrev som f.eks. gaffeltruffer og e-scootere samt telekommunikations- og solcelleanvendelser.

Højere effekttæthed

Mere robuste produkter

Reduktion af systemomkostninger

Relaterede links