Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO262-3, OptiMOSa5 Nej
- RS-varenummer:
- 273-3014
- Producentens varenummer:
- IPI076N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 38,75
(ekskl. moms)
Kr. 48,44
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 459 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 38,75 |
| 10 - 24 | Kr. 35,38 |
| 25 - 49 | Kr. 32,39 |
| 50 - 99 | Kr. 29,77 |
| 100 + | Kr. 27,83 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3014
- Producentens varenummer:
- IPI076N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 112A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOSa5 | |
| Emballagetype | PG-TO262-3 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 112A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOSa5 | ||
Emballagetype PG-TO262-3 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET'er er særligt velegnede til lavspændingsdrev som f.eks. gaffeltruffer og e-scootere samt telekommunikations- og solcelleanvendelser.
Højere effekttæthed
Mere robuste produkter
Reduktion af systemomkostninger