Infineon N-Kanal, MOSFET, 112 A 150 V Forbedring, 3 Ben, PG-TO262-3, OptiMOSa5

Se alle MOSFET
Få rabat ved storkøb

Tilføj 10 flere for at gemme 8%

Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 42,64

(ekskl. moms)

Kr. 53,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Besparelse
1 - 9Kr. 42,64-
10 - 24Kr. 38,908%
25 - 49Kr. 35,6016%
50 - 99Kr. 32,6923%
100 +Kr. 30,5928%

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-3014
Producentens varenummer:
IPI076N15N5AKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

112A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

PG-TO262-3

Serie

OptiMOSa5

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

7.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

214W

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

61nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDECforIndustrialApplications, IEC61249-2-21, RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineons effekt-MOSFET'er er særligt velegnede til lavspændingsdrev som f.eks. gaffeltruffer og e-scootere samt telekommunikations- og solcelleanvendelser.

Højere effekttæthed

Mere robuste produkter

Reduktion af systemomkostninger

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.