Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 323 A 80 V Forbedring, 9 Ben, PG-TTFN-9, OptiMOS Nej IQD016N08NM5CGATMA1

Infineon MOSFET har en OptiMOS 5 effekttransistor, der er konstrueret til at levere fremragende ydeevne med sit avancerede N-kanaldesign. Denne robuste komponent er ideel til applikationer, hvor høj effektivitet og lav modstand er altafgørende. Med en nedbrydningsspænding på 80 V sikrer den pålidelig drift i krævende miljøer. Med en overlegen termisk modstandsprofil kan denne effekttransistor klare de hårde betingelser i industrielle applikationer, hvilket gør den til en oplagt løsning for ingeniører, der ønsker at forbedre energieffektiviteten i strømstyringssystemer. Desuden garanterer den omfattende valideringsproces overholdelse af de højeste standarder for pålidelighed og sikkerhed, hvilket sikrer, at dine designs er både effektive og modstandsdygtige.

N-kanal til effektiv strømledning