ROHM Dual N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOP-8, SH8KC5 Nej SH8KC5TB1
- RS-varenummer:
- 331-692
- Producentens varenummer:
- SH8KC5TB1
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 62,46
(ekskl. moms)
Kr. 78,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,246 | Kr. 62,46 |
| 100 - 240 | Kr. 5,924 | Kr. 59,24 |
| 250 - 490 | Kr. 5,49 | Kr. 54,90 |
| 500 - 990 | Kr. 5,064 | Kr. 50,64 |
| 1000 + | Kr. 4,877 | Kr. 48,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 331-692
- Producentens varenummer:
- SH8KC5TB1
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Dual N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SH8KC5 | |
| Emballagetype | SOP-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Dual N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SH8KC5 | ||
Emballagetype SOP-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
ROHM Power MOSFET er en MOSFET med lav on-modstand, der er ideel til switching og motordrevne applikationer. Denne power-MOSFET kommer i en lille overflademonteret pakke.
Pb-fri belægning
RoHS-overensstemmende
Halogenfri
100 procent Rg og UIS-testet
Relaterede links
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 3 8 ben SH8MD5HT SH8MD5HTB1
- ROHM Dual N-Kanal 2 8 ben SH8KE5 SH8KE5TB1
- ROHM Dual N-Kanal 4 8 ben SH8KB5 SH8KB5TB1
- ROHM N/P-Kanal-Kanal 3.5/4 A 60 V SOP8, SH8 SH8MC4TB1
- ROHM N-Kanal 3 6 ben, SOT-457T RSQ035N06HZGTR
- ROHM N-Kanal 4 SOP8 SH8KE6TB1
- ROHM P-Kanal 3 8 ben, TSMT-8 QH8JC5TCR
- ROHM P-Kanal 3 6 ben, TSMT-8 RQ6L035ATTCR
