Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 297 A 135 V Forbedring, 16 Ben, PG-HSOF-16, IPT Nej IPTC020N13NM6ATMA1
- RS-varenummer:
- 349-133
- Producentens varenummer:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 75,04
(ekskl. moms)
Kr. 93,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.796 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 75,04 |
| 10 - 99 | Kr. 67,54 |
| 100 - 499 | Kr. 62,31 |
| 500 - 999 | Kr. 57,82 |
| 1000 + | Kr. 51,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-133
- Producentens varenummer:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 297A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 135V | |
| Emballagetype | PG-HSOF-16 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 395W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 159nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 297A | ||
Drain source spænding maks. Vds 135V | ||
Emballagetype PG-HSOF-16 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 395W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 159nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V er en N-kanal MOSFET med normalt niveau, der er designet til højtydende effektanvendelser. Den har meget lav on-modstand (RDS(on)), hvilket reducerer ledningstab og øger effektiviteten. MOSFET'en har et fremragende gate charge x RDS(on)-produkt (FOM) for overlegen skifteydelse. Den har også en meget lav reverse recovery charge (Qrr), hvilket optimerer effektiviteten under switching events. Med en høj lavinenergiklassificering sikrer den pålidelighed under krævende forhold og fungerer effektivt ved 175 °C, hvilket gør den ideel til miljøer med høje temperaturer.
Optimeret til højfrekvent switching og synkron ensretning
Pb-fri blybelægning
RoHS-overensstemmende
Halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
MSL 1 klassificeret i henhold til J-STD-020
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 297 A 135 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT020N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 297 A 135 V Forbedring PG-HSOG-8, IPT Nej IPTG020N13NM6ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej
- Infineon Type N-Kanal 169 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej
- Infineon Type N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT012N06NATMA1
- Infineon Type N-Kanal 13 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T040S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 23 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT60T022S7XTMA1
- Infineon Type N-Kanal 331 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT Nej IPT014N08NM5ATMA1
