Infineon N-Kanal, MOSFET, 243 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT0
- RS-varenummer:
- 351-908
- Producentens varenummer:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 115,34
(ekskl. moms)
Kr. 144,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.988 enhed(er) afsendes fra 13. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 57,67 | Kr. 115,34 |
| 20 - 198 | Kr. 51,985 | Kr. 103,97 |
| 200 - 998 | Kr. 47,945 | Kr. 95,89 |
| 1000 - 1998 | Kr. 44,395 | Kr. 88,79 |
| 2000 + | Kr. 39,795 | Kr. 79,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-908
- Producentens varenummer:
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 243A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | IPT0 | |
| Emballagetype | PG-HSOF-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 144nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Længde | 10.58mm | |
| Bredde | 10.1mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 243A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie IPT0 | ||
Emballagetype PG-HSOF-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 144nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Længde 10.58mm | ||
Bredde 10.1mm | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- AT
Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2-teknologien giver klassens bedste kompromis mellem on-state-modstand og lineær tilstand. Kombineret med TOLL-pakken er IPT023N10NM5LF2 beregnet til indgangsstrømsbeskyttelse som f.eks. hot-swap, e-fuse og batteribeskyttelse i batteristyringssystemer (BMS).
Bredt sikkert driftsområde (SOA)
Lav RDS(on)
Lavere IGSS sammenlignet med lineær FET
Optimeret overførselskarakteristik
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 321 A 100 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT0
- Infineon N-Kanal 8 A 600 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 331 A 120 V Forbedring PG-HSOF-8, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 26 A 650 V Forbedring PG-HSOF-8, CoolSiC
- Infineon N-Kanal 87 A 200 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 313 A 60 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 169 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT
- Infineon N-Kanal 331 A 80 V Forbedring PG-HSOF-8, IPT