Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 243 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT0

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 60,59

(ekskl. moms)

Kr. 75,738

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 30,295Kr. 60,59
20 - 198Kr. 27,30Kr. 54,60
200 - 998Kr. 25,17Kr. 50,34
1000 - 1998Kr. 23,34Kr. 46,68
2000 +Kr. 20,905Kr. 41,81

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-908
Producentens varenummer:
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

243A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

144nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.40mm

Standarder/godkendelser

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Længde

10.58mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
AT
Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2-teknologien giver klassens bedste kompromis mellem on-state-modstand og lineær tilstand. Kombineret med TOLL-pakken er IPT023N10NM5LF2 beregnet til indgangsstrømsbeskyttelse som f.eks. hot-swap, e-fuse og batteribeskyttelse i batteristyringssystemer (BMS).

Bredt sikkert driftsområde (SOA)

Lav RDS(on)

Lavere IGSS sammenlignet med lineær FET

Optimeret overførselskarakteristik

Relaterede links