Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 243 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT0

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 89,76

(ekskl. moms)

Kr. 112,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 44,88Kr. 89,76
20 - 198Kr. 40,43Kr. 80,86
200 - 998Kr. 37,29Kr. 74,58
1000 - 1998Kr. 34,56Kr. 69,12
2000 +Kr. 30,965Kr. 61,93

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-908
Producentens varenummer:
IPT023N10NM5LF2ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

243A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

PG-HSOF-8

Serie

IPT0

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

2.3mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

144nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.40mm

Længde

10.58mm

Standarder/godkendelser

RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
AT
Infineon OptiMOS 5 Linear FET 2-teknologien giver klassens bedste kompromis mellem on-state-modstand og lineær tilstand. Kombineret med TOLL-pakken er IPT023N10NM5LF2 beregnet til indgangsstrømsbeskyttelse som f.eks. hot-swap, e-fuse og batteribeskyttelse i batteristyringssystemer (BMS).

Bredt sikkert driftsområde (SOA)

Lav RDS(on)

Lavere IGSS sammenlignet med lineær FET

Optimeret overførselskarakteristik

Relaterede links