STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 79 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 92,20

(ekskl. moms)

Kr. 115,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 92,20
10 - 99Kr. 83,02
100 +Kr. 76,55

*Vejledende pris

RS-varenummer:
358-978
Producentens varenummer:
STO60N030M9
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Driftsfrekvens

1 MHz

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

79A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Udgangseffekt

255W

Serie

STO60

Emballagetype

TO-LL

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

11.88 mm

Højde

2.4mm

Længde

10mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings-MOSFET'er. Den siliciumbaserede M9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur. Det resulterende produkt har en af de laveste modstande ved tændt og reducerede gate-ladningsværdier blandt alle silicium-baserede hurtigt skiftende super-sammenkoblings-effekt-MOSFET'er, hvilket gør den særligt velegnet til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og fremragende effektivitet.

Meget lav FOM

Højere VDSS-rating

Højere dv ved dt-kapacitet

Let at køre

100 procent lavinetestet

Relaterede links