STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 46 A 600 V Forbedring, 8 Ben, TO-LL
- RS-varenummer:
- 228-3053
- Producentens varenummer:
- STO65N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 81,56
(ekskl. moms)
Kr. 101,96
(inkl. moms)
Tilføj 14 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 466 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 40,78 | Kr. 81,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-3053
- Producentens varenummer:
- STO65N60DM6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 46A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-LL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 76mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 320W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 46A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-LL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 76mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 320W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh DM6 serien af hurtige genoprettelsesdiode. Sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation kombinerer DMD 6 meget lav genoprettelsesladning (Qrr), restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive koblingsformer på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS faseskiftkonvertere.
Diode til hus med hurtig genindvinding
Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation
Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand
100 % avalanche-testet
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet
Fremragende skifteevne takket være det ekstra kildestift
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 46 A 600 V Forbedring TO-LL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 36 A 600 V Forbedring TO-LL, STP50N60DM6
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 55 A 600 V TO-LL, STO60
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 79 A 600 V TO-LL, STO60
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 545 A 60 V Forbedring TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics N-Kanal 34 A 600 V TIL-LL-HV, STO67N60M6
- STMicroelectronics N-Kanal 34 A 600 V TIL-LL-HV, STO67N60M6 STO67N60M6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 600 V Forbedring TO-220