STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60
- RS-varenummer:
- 358-979
- Producentens varenummer:
- STO60N045DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 63,88
(ekskl. moms)
Kr. 79,85
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 300 enhed(er) afsendes fra 18. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 63,88 |
| 10 - 99 | Kr. 57,52 |
| 100 - 499 | Kr. 53,03 |
| 500 - 999 | Kr. 49,22 |
| 1000 + | Kr. 44,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 358-979
- Producentens varenummer:
- STO60N045DM9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Udgangseffekt | 255W | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | STO60 | |
| Emballagetype | TO-LL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Længde | 11.88mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Udgangseffekt 255W | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie STO60 | ||
Emballagetype TO-LL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Længde 11.88mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings-MOSFET'er. Den siliciumbaserede DM9-teknologi drager fordel af en multi-drain-produktionsproces, som giver mulighed for en forbedret enhedsstruktur. Dioden har meget lav gendannelsesladning (Qrr), tid (trr) og RDS(on), hvilket gør denne hurtigt skiftende super-junction Power MOSFET skræddersyet til de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.
Kropsdiode med hurtig gendannelse
Meget lav FOM
Lav indgangskapacitans og -modstand
100 procent lavinetestet
Ekstremt høj dv by dt-robusthed
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 79 A 600 V TO-LL, STO60
- STMicroelectronics Type N-Kanal 46 A 600 V Forbedring TO-LL
- STMicroelectronics Type N-Kanal 36 A 600 V Forbedring TO-LL, STP50N60DM6
- STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal 545 A 60 V Forbedring TO-LL, STripFET F7
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 62 A 600 V N TO-247, STWA60N0
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-263
- STMicroelectronics Type N MOSFET 7 Ben SCT025H120G3AG AEC-Q101