STMicroelectronics N-kanal Type N-Kanal, MOSFET, 55 A 600 V, 8 Ben, TO-LL, STO60

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 62,20

(ekskl. moms)

Kr. 77,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 62,20
10 - 99Kr. 55,99
100 - 499Kr. 51,61
500 - 999Kr. 47,85
1000 +Kr. 42,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:
358-979
Producentens varenummer:
STO60N045DM9
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Driftsfrekvens

1 MHz

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

55A

Udgangseffekt

255W

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

TO-LL

Serie

STO60

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Min. driftstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

N-kanal

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

10 mm

Længde

11.88mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

2.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY
STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh DM9-teknologi, der er velegnet til mellem-/højspændings-MOSFET'er. Den siliciumbaserede DM9-teknologi drager fordel af en multi-drain-produktionsproces, som giver mulighed for en forbedret enhedsstruktur. Dioden har meget lav gendannelsesladning (Qrr), tid (trr) og RDS(on), hvilket gør denne hurtigt skiftende super-junction Power MOSFET skræddersyet til de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS-faseforskydningskonvertere.

Kropsdiode med hurtig gendannelse

Meget lav FOM

Lav indgangskapacitans og -modstand

100 procent lavinetestet

Ekstremt høj dv by dt-robusthed

Relaterede links