onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS84L AEC-Q101 BSS84LT1G
- RS-varenummer:
- 463-329
- Producentens varenummer:
- BSS84LT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 61,00
(ekskl. moms)
Kr. 76,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 26.900 enhed(er) afsendes fra 09. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | Kr. 0,61 | Kr. 61,00 |
| 500 - 900 | Kr. 0,526 | Kr. 52,60 |
| 1000 + | Kr. 0,456 | Kr. 45,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 463-329
- Producentens varenummer:
- BSS84LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 130mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS84L | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.2nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.94mm | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS84L | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.2nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.94mm | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
P-kanal Power MOSFET, 30 V til 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi P-Kanal 130 mA 50 V SOT-23 BSS84LT1G
- onsemi P-Kanal 130 mA 50 V SOT-23 BSS84
- onsemi P-Kanal 130 mA 50 V SOT-23 AEC-Q101 BVSS84LT1G
- Nexperia P-Kanal 130 mA 50 V SOT-23 BSS84,215
- DiodesZetex P-Kanal 130 mA 50 V SOT-23 BSS84-7-F
- onsemi P-Kanal 460 mA 25 V SOT-23 FDV304P
- onsemi P-Kanal 900 mA 30 V SOT-23 NDS352AP
- onsemi P-Kanal 180 mA 60 V SOT-23 NDS0605
