ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, RD3 AEC-Q101 RD3P04BBKHRBTL

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 bånd af 10 enheder)*

Kr. 57,15

(ekskl. moms)

Kr. 71,44

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 90 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bånd*
10 - 90Kr. 5,715Kr. 57,15
100 - 490Kr. 5,027Kr. 50,27
500 - 990Kr. 4,518Kr. 45,18
1000 +Kr. 3,575Kr. 35,75

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
646-544
Producentens varenummer:
RD3P04BBKHRBTL
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Kanaltype

Type N

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

RD3

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

30mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

9.1nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Effektafsættelse maks. Pd

53W

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Bredde

6.8 mm

Standarder/godkendelser

RoHS, AEC-Q101

Længde

10.50mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

ROHM P-kanal 100 volt 36 ampere metaloxidtransistor med halvlederfelteffekt har blyfri belægning og er i overensstemmelse med begrænsning af farlige stoffer. Den er 100 % avalanche-testet.

Lav modstand ved tændt

AEC-Q101 kvalificeret

Relaterede links