ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 80 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-464
- Producentens varenummer:
- RD3G08DBKHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 14,26
(ekskl. moms)
Kr. 17,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 72 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 7,13 | Kr. 14,26 |
| 20 - 48 | Kr. 6,30 | Kr. 12,60 |
| 50 - 198 | Kr. 5,64 | Kr. 11,28 |
| 200 - 998 | Kr. 4,55 | Kr. 9,10 |
| 1000 + | Kr. 4,46 | Kr. 8,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-464
- Producentens varenummer:
- RD3G08DBKHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3G08DBKHRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredde | 6.8mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie RD3G08DBKHRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bredde 6.8mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET er udviklet til højtydende anvendelser, der kræver overlegen effektivitet og høj strømkapacitet. Denne MOSFET er designet til at fungere ved 40 V med en maksimal kontinuerlig drænstrøm på 80 A og giver fremragende pålidelighed og ydeevne under forskellige driftsforhold. Desuden minimerer den lave modstand ved tænding på 4,1 mΩ energitab og sikrer optimal termisk ydeevne og effekttab på op til 76 W, hvilket gør den til et ideelt valg til krævende anvendelser i bilsektoren og industrisektoren.
Lav modstand ved tænding for reduceret energitab under drift
Høj kontinuerlig afløbsstrømkapacitet på 80 A for robust ydeevne
Nominel effekttab på 76 W for pålidelig drift i anvendelser med høj effekt
Avalanche-strømstyrke på 30 A, der sikrer holdbarhed under transienter
AEC Q101-kvalifikation for pålidelighed i biler
I overensstemmelse med RoHS med blyfri belægning, der er i overensstemmelse med miljøstandarder
Omfatter emballeringsspecifikationer som f.eks. præget tape til effektiv håndtering
Flere mærkespændinger til forskellige kredsløbsdesign
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-252 (TL), AG086FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-252 (TL), RD3L08DBLHRB AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A -40 V Forbedring TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-252 (TL), RD3L08CBLHRB AEC-Q101
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB AEC-Q101