ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-464
- Producentens varenummer:
- RD3G08DBKHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 14,26
(ekskl. moms)
Kr. 17,82
(inkl. moms)
Tilføj 90 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 7,13 | Kr. 14,26 |
| 20 - 48 | Kr. 6,30 | Kr. 12,60 |
| 50 - 198 | Kr. 5,64 | Kr. 11,28 |
| 200 - 998 | Kr. 4,55 | Kr. 9,10 |
| 1000 + | Kr. 4,46 | Kr. 8,92 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-464
- Producentens varenummer:
- RD3G08DBKHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | RD3G08DBKHRB | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 28nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.50mm | |
| Bredde | 6.8 mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie RD3G08DBKHRB | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 28nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.50mm | ||
Bredde 6.8 mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er udviklet til højtydende anvendelser, der kræver overlegen effektivitet og høj strømkapacitet. Denne MOSFET er designet til at fungere ved 40 V med en maksimal kontinuerlig drænstrøm på 80 A og giver fremragende pålidelighed og ydeevne under forskellige driftsforhold. Desuden minimerer den lave modstand ved tænding på 4,1 mΩ energitab og sikrer optimal termisk ydeevne og effekttab på op til 76 W, hvilket gør den til et ideelt valg til krævende anvendelser i bilsektoren og industrisektoren.
Lav modstand ved tænding for reduceret energitab under drift
Høj kontinuerlig afløbsstrømkapacitet på 80 A for robust ydeevne
Nominel effekttab på 76 W for pålidelig drift i anvendelser med høj effekt
Avalanche-strømstyrke på 30 A, der sikrer holdbarhed under transienter
AEC Q101-kvalifikation for pålidelighed i biler
I overensstemmelse med RoHS med blyfri belægning, der er i overensstemmelse med miljøstandarder
Omfatter emballeringsspecifikationer som f.eks. præget tape til effektiv håndtering
Flere mærkespændinger til forskellige kredsløbsdesign
Relaterede links
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben AG185FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3L08DBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben AG194FPD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben AG501EGD3HRB AEC-Q101
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3L08CBLHRB AEC-Q101