ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AEC-Q101 AG091FLD3HRBTL
- RS-varenummer:
- 687-462
- Producentens varenummer:
- AG091FLD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 14,43
(ekskl. moms)
Kr. 18,038
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 7,215 | Kr. 14,43 |
| 20 - 48 | Kr. 6,34 | Kr. 12,68 |
| 50 - 198 | Kr. 5,73 | Kr. 11,46 |
| 200 - 998 | Kr. 4,595 | Kr. 9,19 |
| 1000 + | Kr. 4,505 | Kr. 9,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-462
- Producentens varenummer:
- AG091FLD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG091FLD3HRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.50mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredde | 6.80 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie AG091FLD3HRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.50mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bredde 6.80 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til brug i biler og giver fremragende effektivitet og pålidelighed. Med en maksimal drain-kilde-spænding på 60 V og en kontinuerlig drain-strømkapacitet på 80 A sikrer denne MOSFET optimal ydeevne i krævende miljøer. Dens lave modstand ved tænding på 7,5 mΩ reducerer effekttab betydeligt, hvilket gør den velegnet til forskellige bilsystemer og anvendelser med høj strømstyrke. Enheden er i overensstemmelse med RoHS med blyfri belægning, hvilket sikrer miljøsikkerhed, samtidig med at den opretholder robust ydeevne under strenge forhold.
Lav modstand ved tænding for forbedret effektivitet og reduceret varmeudvikling
AEC Q101-kvalificeret, der sikrer høj pålidelighed i biler
100 % avalanche-testet for øget sikkerhed og holdbarhed
Bredt driftstemperaturområde fra -55 til +175 °C for alsidig brug
Robust effekttabskapacitet på 76 W til håndtering af betydelige belastninger
Tapepakning letter håndtering og samling i produktionsmiljøer
Præget emballage sikrer sikker dynamik under transport
Relaterede links
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3L04BBJHRB AEC-Q101 RD3L04BBJHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3E07BBJHRB AEC-Q101 RD3E07BBJHRBTL
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3L08CBLHRB AEC-Q101 RD3L08CBLHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3N045AT AEC-Q101 RD3N045ATTL1
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3G04BBJHRB AEC-Q101 RD3G04BBJHRBTL
- ROHM Type P-Kanal 3 Ben RD3P08BBLHRB AEC-Q101 RD3P08BBLHRBTL
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben RD3G08DBKHRB AEC-Q101 RD3G08DBKHRBTL
- ROHM Type N-Kanal 3 Ben AG185FGD3HRB AEC-Q101 AG185FGD3HRBTL