ROHM Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AEC-Q101 AG194FPD3HRBTL
- RS-varenummer:
- 687-353
- Producentens varenummer:
- AG194FPD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 2 enheder)*
Kr. 29,39
(ekskl. moms)
Kr. 36,738
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 14,695 | Kr. 29,39 |
| 20 - 98 | Kr. 12,945 | Kr. 25,89 |
| 100 - 198 | Kr. 11,635 | Kr. 23,27 |
| 200 + | Kr. 9,14 | Kr. 18,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-353
- Producentens varenummer:
- AG194FPD3HRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG194FPD3HRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.50mm | |
| Højde | 2.3mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredde | 6.80 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie AG194FPD3HRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.50mm | ||
Højde 2.3mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bredde 6.80 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM N-kanals effekt-MOSFET er designet til anvendelser, der kræver robust strømstyring. Denne komponent, der fungerer ved maksimalt 100 V og kan håndtere kontinuerlige strømme på op til 80 A, udmærker sig ved at levere lav modstand ved tænding og minimerer dermed effekttab i krævende automobilsystemer. Dens blyfri belægning og overholdelse af RoHS-standarder sikrer både miljømæssig sikkerhed og pålidelighed. Bemærkelsesværdigt er enheden fuldt kvalificeret iht. AEC-Q101, hvilket gør den velegnet til brug i biler, hvor ydeevne og modstandsdygtighed er afgørende. Med en effekttabskapacitet på 142 W og streng avalanche-test understøtter denne MOSFET pålidelig drift i en lang række højtydende kredsløb.
Giver en lav modstand på 6,2 mΩ for forbedret effektivitet
Mærket til kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A, velegnet til anvendelser med høj effekt
Har en fejlspænding på 100 V, der giver robusthed mod spændingsspidser
AEC Q101-kvalificeret, der sikrer pålidelighed i bilmiljøer
Avalanche-testet, hvilket giver mulighed for sikker drift under transienter
Pb-fri og i overensstemmelse med RoHS, i overensstemmelse med miljøstandarder
Ideel til bilsystemer, der forbedrer strømstyringsmulighederne
Relaterede links
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AG191FLD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AG091FLD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), RD3L08DBLHRB RD3L08DBLHRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), RD3L08CBLHRB RD3L08CBLHRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 40 V TO-252 (TL), RD3G08DBKHRB RD3G08DBKHRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 40 V TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AG185FGD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 40 V TO-252 (TL), AG086FGD3HRB AG086FGD3HRBTL
- ROHM N-Kanal 80 A 60 V TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB RD3L08DBKHRBTL
