onsemi N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 65 A 40 V Forbedring, 8 Ben, WDFN8, NTT
- RS-varenummer:
- 648-506
- Producentens varenummer:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 20 enheder)*
Kr. 93,72
(ekskl. moms)
Kr. 117,16
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.500 enhed(er) afsendes fra 25. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 4,686 | Kr. 93,72 |
| 200 - 980 | Kr. 2,902 | Kr. 58,04 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,676 | Kr. 33,52 |
| 2000 + | Kr. 1,642 | Kr. 32,84 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 648-506
- Producentens varenummer:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | WDFN8 | |
| Serie | NTT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 38W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free | |
| Bredde | 3.3mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype WDFN8 | ||
Serie NTT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 38W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free | ||
Bredde 3.3mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
ON Semiconductors seneste 40 V standard gate-niveau Power MOSFET-teknologi med bedste i klassen on-modstand til motordrivere. Lavere On-Resistance og mindre gate-ladning kan reducere ledningstab og drivtab. God softness-kontrol af kropsdiodens reverse recovery kan reducere spændingsspidsbelastningen uden ekstra snubber-kredsløb i applikationen.
Lav RDS(on)
Lav kapacitet
Lille fodaftryk på 3,3 x 3,3 mm
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 178 A 40 V Forbedring WDFN8, NTT
- onsemi N-Kanal 384 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM
- onsemi N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NTM
- onsemi N-Kanal 7.6 A 1.2 kV Forbedring TO-247-3, UF3
- onsemi N-Kanal 233 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 195 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 94 A 40 V Forbedring DFNW-5, NVM AEC-Q101
- onsemi N-Kanal 66 A 40 V Forbedring DFN-5, NVM AEC-Q101