Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 38 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, E

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 bånd af 1 enhed)*

Kr. 44,36

(ekskl. moms)

Kr. 55,45

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Bånd
Pr bånd
1 - 9Kr. 44,36
10 - 49Kr. 43,08
50 - 99Kr. 41,66
100 +Kr. 35,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
653-080
Producentens varenummer:
SIHR100N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

38A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Emballagetype

PowerPAK

Serie

E

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.105Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

34nC

Effektafsættelse maks. Pd

347W

Portkildespænding maks.

30V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

8mm

Længde

10.42mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 38 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHR100N60E-T1-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanalforbedringsenhed, der er designet til koblings- og styringsopgaver i industriel elektronik. Den fungerer som en overflademonteret transistor, der er velegnet til strømkonvertering og højspændingsswitching-miljøer, og giver en balance mellem spændingshåndtering og termisk modstandsdygtighed til brug i krævende samlinger.

Egenskaber og fordele:


• 600 V drain-source mærkeværdi muliggør højspændingskontaktkapacitet • 38 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,105 Ω Rds(on) minimerer ledningstab under drift • 347 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning • 34 nC typisk gate-ladning muliggør effektiv gate-drive-styring • Driftsområde fra -55 °C til 150 °C understøtter drift ved ekstreme temperaturer

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømomformere i industriel automatisering • Ideel til frontender til motordrev, der kræver robust omskiftning • Anvendes til switch-mode strømforsyninger, der håndterer forhøjede spændinger • Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin i elektriske systemer • Anvendes sammen med gate-drivere i højspændingsinverterkonstruktioner

Hvilken monteringstype kræver den til montering?


Den er designet til overflademontering i en PowerPAK-pakke, hvilket kræver standard SMT-reflowprofiler og passende kobberplanlægning til varmeafledning.

Hvordan påvirker gate-drivspænding skiftet?


Enheden tåler op til 30 V på porten i forhold til kilden

ved hjælp af anbefalede gate-spændinger optimeres tændingshastigheden, samtidig med at portoverspænding undgås.

Hvilke termiske overvejelser er der brug for til anvendelser med høj effekt?


I betragtning af den nominelle effekttab på 347 W er et tilstrækkeligt kobberareal på printkort og termiske ledninger nødvendige for at overføre varme væk fra pakken for at opretholde samlingstemperaturer under maksimale grænser.

Er denne enhed velegnet til bildesign?


Den er ikke specificeret som bilkvalitet, så egnethed afhænger af krav på systemniveau og eventuelle yderligere kvalifikationer, der kræves af designeren.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.