Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 38 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, E Nej
- RS-varenummer:
- 653-080
- Producentens varenummer:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 50,27
(ekskl. moms)
Kr. 62,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 50,27 |
| 10 - 49 | Kr. 48,84 |
| 50 - 99 | Kr. 47,20 |
| 100 + | Kr. 40,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 653-080
- Producentens varenummer:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 38A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.105Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 347W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 8 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 38A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie E | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.105Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 347W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 8 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishays 4. generation E seriens effekt-MOSFET er designet til højeffektive switching-anvendelser. Den har et lavt fortjensttal (FOM), reduceret effektiv kapacitet og optimeret termisk ydeevne i et kompakt PowerPAK 8x8LR hus. Den er velegnet til brug i server-, telekommunikations- og effektfaktorkorrektionsforsyninger og giver pålidelig ydeevne i krævende miljøer.
Reducerede skifte- og ledningstab
Pb-fri
Halogenfri
I overensstemmelse med RoHS
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, E Nej SIHR100N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 32 A 600 V Forbedring PowerPAK, E Nej
- Vishay Type N-Kanal 32 A 600 V Forbedring PowerPAK, E Nej SIHR120N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 51 A 600 V Forbedring PowerPAK, SIHM080N60E Nej
- Vishay Type N-Kanal 51 A 600 V Forbedring PowerPAK, SIHM080N60E Nej SIHM080N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF Nej
- Vishay Type N-Kanal 38 A 600 V Forbedring PowerPAK, EF Nej SIHR100N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring PowerPAK, SIRA18DDP Nej
