Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 63 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SISS32LDN

RS-varenummer:: 653-103
Producentens varenummer:: SISS32LDN-T1-BE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 63 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, SISS32LDN

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 14.853,00

(ekskl. moms)

Kr. 18.567,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

6.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 4,951	Kr. 14.853,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 653-103
Producentens varenummer:: SISS32LDN-T1-BE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	Enkelt MOSFET'er
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	63A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	PowerPAK
	Serie	SISS32LDN
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.0072Ω
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	65.7W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	17.7nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Højde	0.75mm
	Længde	3.3mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bredde	3.3mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype Enkelt MOSFET'er
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 63A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype PowerPAK
	Serie SISS32LDN
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.0072Ω
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 65.7W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.7nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Højde 0.75mm
	Længde 3.3mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bredde 3.3mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SISS32LDN-T1-BE3

COO (Country of Origin):: TH

Vishay SISS32LDN seriens enkelte MOSFET'er, 80 V maksimal drain source-spænding, 63 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SISS32LDN-T1-BE3

Denne enkle MOSFET-enhed er en højstrøms N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret strømomskifter i industriel elektronik. Den fungerer som en MOSFET med forbedringstilstand, der er velegnet til drev- og omskiftningsanvendelser, hvor der kræves forhøjet drain-kilde-spænding og robust strømhåndtering. Komponenten leveres i en kompakt PowerPAK-pakke, der er beregnet til SMD-montering og overholder RoHS-kravene.

Egenskaber og fordele:

• 80 V drain-source-klassificering muliggør højspændingskontaktkapacitet • 63 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftig belastning • Lav RDS(on) 0,0072 Ω minimerer ledningstab under belastning • 65,7 W effekttab muliggør vedvarende termisk gennemgang • 17,7 nC typisk gate-ladning giver kontrolleret koblingsenergi • Maksimal driftstemperatur på 150 °C muliggør drift ved høje temperaturer

Anvendelser

• Velegnet til motordrevne halvbrotrin i automatiseringssystemer • Ideel til DC-DC-konvertere i strømfordelingsmoduler • Anvendes til belastningsswitching i industrielt styreudstyr • Kan bruges til batteristyring og højstrømsfordeling

Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?

Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige ±20 V for at forhindre gate-dielektrisk belastning.

Hvilke termiske overvejelser gælder under printkortlayout?

I betragtning af den nominelle dissipationsværdi på 65,7 W bør designere levere tilstrækkeligt kobberområde og termiske ledninger til varmespredning og tilslutte sig et varmeafledningsplan, hvor det er nødvendigt.

Hvordan påvirker koblingsadfærden elektromagnetiske emissioner?

17,7 nC gate-ladning påvirker stignings- og faldtider

styring af gate-drive-slew-hastigheder og tilføjelse af snubbers hjælper med at styre koblingstransienter og EMI.

Hvilke ekstreme omgivelser kan enheden tolerere under drift?

Den er specificeret til brug ned til -55 °C og op til 150 °C forbindelsestemperatur for kompatibilitet med et bredt miljøområde.