Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 396 A 40 V Forbedring, 10 Ben, PowerPack, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 735-243
- Producentens varenummer:
- SQJ134ELR-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 18,20
(ekskl. moms)
Kr. 22,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 18,20 |
| 10 - 24 | Kr. 11,81 |
| 25 - 99 | Kr. 6,21 |
| 100 - 499 | Kr. 6,04 |
| 500 + | Kr. 5,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 735-243
- Producentens varenummer:
- SQJ134ELR-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 396A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PowerPack | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.021Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 131nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 319W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 5.3 mm | |
| Længde | 7.5mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 396A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PowerPack | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.021Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 131nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 319W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 5.3 mm | ||
Længde 7.5mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- Vishay N-kanal-Kanal 55 A 80 V Forbedring PowerPack, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 222 A 80 V Forbedring PowerPack, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 1.7 A 60 V Forbedring TO-236, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -230 A -40 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -8 A -20 V Forbedring TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-kanal-Kanal 5.4 A 60 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -8 A -12 V Forbedring TSOP-6, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -0.84 A -150 V Forbedring SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
