Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 222 A 80 V Forbedring, 10 Ben, PowerPack, TrenchFET AEC-Q101

Indhold (1 enhed)*

Kr. 17,80

(ekskl. moms)

Kr. 22,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 17,80

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-244
Producentens varenummer:
SQJ182ER-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

222A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPack

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

10

Drain source modstand maks. Rds

0.0061Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Portkildespænding maks.

20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

93nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

7.5mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bredde

5.3mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.