Vishay N-kanal-Kanal, MOSFET, 222 A 80 V Forbedring, 10 Ben, PowerPack, TrenchFET AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 19,60

(ekskl. moms)

Kr. 24,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 16. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 19,60
10 - 24Kr. 12,77
25 - 99Kr. 6,65
100 - 499Kr. 6,47
500 +Kr. 6,39

*Vejledende pris

RS-varenummer:
735-244
Producentens varenummer:
SQJ182ER-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

222A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

PowerPack

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

10

Drain source modstand maks. Rds

0.0061Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

±20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

93nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

7.5mm

Bredde

5.3 mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Relaterede links