Vishay N-Kanal, MOSFET, 28 A 650 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, S
- RS-varenummer:
- 878-898
- Producentens varenummer:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 12,64
(ekskl. moms)
Kr. 15,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 12,64 |
| 10 - 99 | Kr. 8,53 |
| 100 - 499 | Kr. 7,18 |
| 500 - 999 | Kr. 6,88 |
| 1000 + | Kr. 6,66 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 878-898
- Producentens varenummer:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 28A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | S | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.121Ω | |
| Kanalform | N | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie S | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.121Ω | ||
Kanalform N | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Power MOSFET er designet til at styre kobling og ledningsevne effektivt, hvilket gør den til en vigtig komponent til forskellige strømforsyningsanvendelser.
Den nyeste generation af SF-serien teknologi, der sikrer optimal ydeevne
Lav fortjenstfaktor (FOM) for forbedret energieffektivitet
Avalanche-energitæt, der giver forbedret pålidelighed under belastning
Enkeltimpuls-avalanche-energikapacitet, der opfylder krævende anvendelser
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V PowerPAK 10 x 12
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, E Series
- Vishay N-Kanal 28 A 100 V Forbedring PowerPAK 1212-8, SiS892ADN
- Vishay N-Kanal 11.3 A 100 V, PowerPAK
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, E Series
