Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 89,16

(ekskl. moms)

Kr. 111,44

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 44,58Kr. 89,16
50 - 98Kr. 40,095Kr. 80,19
100 - 248Kr. 32,76Kr. 65,52
250 - 998Kr. 32,09Kr. 64,18
1000 +Kr. 24,76Kr. 49,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8311
Producentens varenummer:
SIHK105N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.1Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

132W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

9.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay effekt MOSFET med 4. generations E-seriens teknologi har reduceret skifte- og ledningstab, og den anvendes i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger.

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links