Vishay N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

RS-varenummer:: 268-8311
Producentens varenummer:: SIHK105N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Kan ikke leveres i øjeblikket

Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.

RS-varenummer:: 268-8311
Producentens varenummer:: SIHK105N60E-T1-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	24A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.1Ω
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	132W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	53nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	30V
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Længde	9.9mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.1Ω
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 132W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 30V
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Længde 9.9mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHK105N60E-T1-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 24 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK105N60E-T1-GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømswitching på printkort. Den fungerer over et bredt temperaturområde til industrielle miljøer og er velegnet til anvendelser, der kræver betydelig effekthåndtering og høj drain-source-spændingsmodstand. Enheden er monteret i en PowerPAK-hus med lav profil for at lette termisk styring på printkortmoduler.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 24 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige belastningsstrømme
• 0.1 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 132 W maksimal tab forbedrer den termiske rumkapacitet
• 53 nC typisk gate-opladning balancerer skiftehastighed og drevindsats
• Vgs 30 V portgrænse muliggør robuste portdrevområder

Anvendelser

• Velegnet til industrielle højspændingsstrømforsyninger
• Ideel til strømkonverteringstrin i switch-mode
• Anvendes sammen med invertere til motordrev, der kræver høj spænding
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb
• Velegnet til forsynings- og vedvarende energikredsløbselektronik

Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?

Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i krævende termiske miljøer.

Hvilke hensyn til emballage og montering gælder for termisk ydeevne?

Den leveres i en PowerPAK 10x12-pakke, der er beregnet til printkortmontering, hvilket hjælper med varmeafledning, når den parres med passende kobberplaner og termiske ledninger.

Hvordan påvirker gate-opladning drivervalg?

Med en typisk samlet gate-ladning på 53 nC skal drivere forsyne tilstrækkelig strøm til de ønskede skiftehastigheder og samtidig håndtere gate-drive-tab.

Hvad er den maksimalt tilladte gate-source-spænding?

Den maksimale Vgs er 30 V, så gate-drive-kredsløb skal konstrueres til at forblive inden for denne grænse for at undgå enhedsbelastning.