Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 89,16

(ekskl. moms)

Kr. 111,44

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.050 enhed(er) afsendes fra 27. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 44,58Kr. 89,16
50 - 98Kr. 40,095Kr. 80,19
100 - 248Kr. 32,76Kr. 65,52
250 - 998Kr. 32,09Kr. 64,18
1000 +Kr. 24,76Kr. 49,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8311
Producentens varenummer:
SIHK105N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SIHK

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.1Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

132W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Portkildespænding maks.

±30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

9.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay effekt MOSFET med 4. generations E-seriens teknologi har reduceret skifte- og ledningstab, og den anvendes i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger.

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links