Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 39.510,00

(ekskl. moms)

Kr. 49.388,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 19,755Kr. 39.510,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8310
Producentens varenummer:
SIHK105N60E-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SIHK

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.1Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

132W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

53nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

9.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay effekt MOSFET med 4. generations E-seriens teknologi har reduceret skifte- og ledningstab, og den anvendes i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger.

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links