Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-varenummer:
- 268-8310
- Producentens varenummer:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*
Kr. 39.510,00
(ekskl. moms)
Kr. 49.388,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | Kr. 19,755 | Kr. 39.510,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8310
- Producentens varenummer:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.1Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 53nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 132W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 9.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.1Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 53nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 132W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 9.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay effekt MOSFET med 4. generations E-seriens teknologi har reduceret skifte- og ledningstab, og den anvendes i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger.
Lav effektiv kapacitet
Nominel lavineenergi
Lavt tal for fortjeneste
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 19 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 32 A 650 V Forbedring PowerPAK, E
- Vishay N-kanal-Kanal 29 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, E Series