Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Denne MOSFET er en højspændings N-kanalforbedringsenhed, der er designet til strømkobling i industrielle og elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til printkortmontering i anvendelser, der kræver høj drain-source spændingshåndtering og betydelig strømkapacitet. Komponenten leveres i en kompakt PowerPAK-pakke, der er velegnet til tætte kortlayouts.

• 650 V maksimal drain-source-spænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 24 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,1 Ω Rds(on) reducerer ledningstab og forbedrer effektiviteten • 132 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering i termiske design • 53 nC typisk gate-ladning ved Vgs begrænser koblingsenergi for hurtigere overgange • Maksimal driftstemperatur på 150 °C muliggør høje termiske driftsomfang

• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Ideel til industrielle motordrev invertertrin • Anvendes til switched-mode strømforsyning primære sidekontakter • Kan bruges til fotoelektriske invertereffekttrin • Velegnet til effektfaktorkorrektionskredsløb

Gate-kilde-spændingen må ikke overstige 30 V for at forhindre overbelastning af gate-oxid og sikre pålidelig omskiftning.

Den er specificeret til drift ned til -55 °C og opretholder ledningsegenskaber i forstærkning ved temperaturer under nul.

Komponenten leveres i en PowerPAK 10x12-pakke med otte ben, hvilket letter automatiseret lodning og termisk kontakt på printkortlayouter.

En 53 nC gate-ladning på det nominelle gate-drev påvirker gate-driverens størrelse og koblingstab, hvilket informerer om valg af driverstrømkapacitet.