Vishay N-Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-varenummer:
- 268-8314
- Producentens varenummer:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Alternativ
Dette produkt er ikke tilgængeligt i øjeblikket. Vi anbefaler dette alternativ.
(Leveres i pakke af 2)
Kr. 73,60
(ekskl. moms)
Kr. 92,00
(inkl. moms)
- RS-varenummer:
- 268-8314
- Producentens varenummer:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.193Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 114W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 9.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.193Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 114W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 9.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 16 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK185N60EF-T1GE3
Egenskaber og fordele:
• 16 A kontinuerlig drænstrøm, der understøtter betydelige belastningsstrømme
• 114 W effekttab muliggør vedvarende effekthåndtering
• 0.193 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 32 nC typisk gate-ladning, der giver mulighed for forudsigelig omskiftning
• 30 V maksimal gate-source-spænding, der giver robust gate-tolerance
Anvendelser
• Ideel til industrielle motordrev og invertertrin
• Anvendes sammen med konvertere til vedvarende energi, der håndterer forhøjede spændinger
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionskredsløb på printkort
• Velegnet til generel udskiftning af kraftige transistorer i enheder

