Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

RS-varenummer:: 268-8314
Producentens varenummer:: SIHK185N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 25.850,00

(ekskl. moms)

Kr. 32.312,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 12,925	Kr. 25.850,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 268-8314
Producentens varenummer:: SIHK185N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	16A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	SIHK
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.193Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	32nC
	Effektafsættelse maks. Pd	114W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	9.9mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie SIHK
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.193Ω
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC
	Effektafsættelse maks. Pd 114W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 9.9mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHK185N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 16 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK185N60EF-T1GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømkobling på printmontering. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til industrielle styrings- og strømkonverteringsmiljøer, hvor robust spændingshåndtering og termisk tolerance er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 650 V afløbsspænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 16 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,193 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab og varmeudvikling • 114 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering • 32 nC typisk gate-ladning understøtter moderat hurtige skiftehastigheder • 30 V maks. portdrev giver mulighed for fleksible portstyringsdesign

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere • Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielle systemer • Anvendes til omskiftning af motordrev i automatiseringsudstyr • Kan bruges til belysningsforkobling og elektronisk transformerstyring

Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere i systemdesign?

Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor variation i omgivende temperatur.

Hvilke monteringsovervejelser er der behov for på et printkort?

Den er beregnet til printkortmontering i en PowerPAK 10 x 12-pakke med otte ben, så printkortlayoutet skal give tilstrækkelige termiske vias og kobberområde til varmespredning.

Hvordan skal gate-drev begrænses for at beskytte enheden?

Porten må ikke overstige ±30 V i forhold til kilden, så portdrevskredsløb skal omfatte klemning eller regulering for at forhindre overspænding.

Hvilke ladningsegenskaber påvirker valg af gate-driver?

Den typiske gate-ladning er 32 nC ved den specificerede gate-bias, hvilket informerer om den påkrævede drivstrøm og koblingstab til størrelse af gate-driver.