Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 73,60

(ekskl. moms)

Kr. 92,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 36,80Kr. 73,60
50 - 98Kr. 33,06Kr. 66,12
100 - 248Kr. 27,115Kr. 54,23
250 - 998Kr. 26,555Kr. 53,11
1000 +Kr. 20,795Kr. 41,59

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8316
Producentens varenummer:
SIHK185N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

16A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.193Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

32nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

114W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

9.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 16 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK185N60EF-T1GE3


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømkobling på printmontering. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til industrielle styrings- og strømkonverteringsmiljøer, hvor robust spændingshåndtering og termisk tolerance er påkrævet.

Egenskaber og fordele:


• 650 V afløbsspænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 16 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,193 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab og varmeudvikling • 114 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering • 32 nC typisk gate-ladning understøtter moderat hurtige skiftehastigheder • 30 V maks. portdrev giver mulighed for fleksible portstyringsdesign

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere • Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielle systemer • Anvendes til omskiftning af motordrev i automatiseringsudstyr • Kan bruges til belysningsforkobling og elektronisk transformerstyring

Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere i systemdesign?


Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor variation i omgivende temperatur.

Hvilke monteringsovervejelser er der behov for på et printkort?


Den er beregnet til printkortmontering i en PowerPAK 10 x 12-pakke med otte ben, så printkortlayoutet skal give tilstrækkelige termiske vias og kobberområde til varmespredning.

Hvordan skal gate-drev begrænses for at beskytte enheden?


Porten må ikke overstige ±30 V i forhold til kilden, så portdrevskredsløb skal omfatte klemning eller regulering for at forhindre overspænding.

Hvilke ladningsegenskaber påvirker valg af gate-driver?


Den typiske gate-ladning er 32 nC ved den specificerede gate-bias, hvilket informerer om den påkrævede drivstrøm og koblingstab til størrelse af gate-driver.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.