Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-varenummer:
- 268-8316
- Producentens varenummer:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 73,60
(ekskl. moms)
Kr. 92,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 36,80 | Kr. 73,60 |
| 50 - 98 | Kr. 33,06 | Kr. 66,12 |
| 100 - 248 | Kr. 27,115 | Kr. 54,23 |
| 250 - 998 | Kr. 26,555 | Kr. 53,11 |
| 1000 + | Kr. 20,795 | Kr. 41,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8316
- Producentens varenummer:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 16A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.193Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 114W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 32nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 9.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 16A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.193Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 114W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 32nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 9.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 16 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK185N60EF-T1GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til strømkobling på printmontering. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til industrielle styrings- og strømkonverteringsmiljøer, hvor robust spændingshåndtering og termisk tolerance er påkrævet.
Egenskaber og fordele:
• 650 V afløbsspænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 16 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,193 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab og varmeudvikling • 114 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering • 32 nC typisk gate-ladning understøtter moderat hurtige skiftehastigheder • 30 V maks. portdrev giver mulighed for fleksible portstyringsdesign
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømomformere og invertere • Ideel til switch-mode strømforsyninger i industrielle systemer • Anvendes til omskiftning af motordrev i automatiseringsudstyr • Kan bruges til belysningsforkobling og elektronisk transformerstyring
Hvilke termiske ekstremer kan den tolerere i systemdesign?
Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor variation i omgivende temperatur.
Hvilke monteringsovervejelser er der behov for på et printkort?
Den er beregnet til printkortmontering i en PowerPAK 10 x 12-pakke med otte ben, så printkortlayoutet skal give tilstrækkelige termiske vias og kobberområde til varmespredning.
Hvordan skal gate-drev begrænses for at beskytte enheden?
Porten må ikke overstige ±30 V i forhold til kilden, så portdrevskredsløb skal omfatte klemning eller regulering for at forhindre overspænding.
Hvilke ladningsegenskaber påvirker valg af gate-driver?
Den typiske gate-ladning er 32 nC ved den specificerede gate-bias, hvilket informerer om den påkrævede drivstrøm og koblingstab til størrelse af gate-driver.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-kanal-Kanal 34 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SF Series
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF