Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

RS-varenummer:: 268-8308
Producentens varenummer:: SIHK105N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 39.500,00

(ekskl. moms)

Kr. 49.380,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 19,75	Kr. 39.500,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 268-8308
Producentens varenummer:: SIHK105N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	24A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Serie	SIHK
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.105Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	51nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	142W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	9.9mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Serie SIHK
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.105Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 142W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 9.9mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHK105N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 24 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK105N60EF-T1GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals halvlederkontakt, der er designet til strømkonvertering og koblingsopgaver i industriel elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og monteres på printkort i en 8-benet pakke, hvilket giver en balance mellem koblingsevne og termisk håndtering, der er velegnet til krævende elektriske styringsmiljøer.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 24 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,105 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift • 51 nC gate-ladning giver mulighed for kontrolleret omskiftning • 142 W effekttab hjælper med håndtering af høj effekt på printkort • ±30 V porttolerance muliggør bred portdrevmargen

Anvendelser

• Velegnet til industrielle motordrev invertertrin • Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Anvendes til DC-DC-konvertering i automatiseringssystemer • Kan bruges til switch-mode effektregulatorer i maskiner • Velegnet til strømkobling i elektriske distributionsenheder

Hvilke termiske ekstremer kan denne enhed tolerere under drift?

Den er klassificeret til drift fra -55 °C op til maks. 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype kræves der på et kort?

Den leveres i en 8-benet konfiguration, der er beregnet til printkortmontering i et PowerPAK 10 x 12-footprint.

Hvilke typer gate-driverbegrænsninger skal overholdes?

Enheden accepterer op til 30 V mellem gate og kilde, så gate-drive-kredsløb bør forblive inden for denne grænse for at undgå skader.

Hvordan opfylder enheden miljømæssige materialebegrænsninger?

Den er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket angiver overholdelse af begrænsede farlige stoffer.