Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 39.500,00

(ekskl. moms)

Kr. 49.380,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 19,75Kr. 39.500,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8308
Producentens varenummer:
SIHK105N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.105Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

142W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

9.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay power MOSFET med fast body diode og 4. generation af E-serien teknologi. Den har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i applikationer som f.eks. strømforsyninger til skiftetilstand, serverstrømforsyninger og telekommunikationsstrømforsyninger.

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links