Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 39.500,00

(ekskl. moms)

Kr. 49.380,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 22. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 19,75Kr. 39.500,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8308
Producentens varenummer:
SIHK105N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.105Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

142W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

9.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay power MOSFET med fast body diode og 4. generation af E-serien teknologi. Den har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i applikationer som f.eks. strømforsyninger til skiftetilstand, serverstrømforsyninger og telekommunikationsstrømforsyninger.

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links