Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 90,81

(ekskl. moms)

Kr. 113,512

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 45,405Kr. 90,81
50 - 98Kr. 40,805Kr. 81,61
100 - 248Kr. 33,36Kr. 66,72
250 - 998Kr. 32,725Kr. 65,45
1000 +Kr. 25,17Kr. 50,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8309
Producentens varenummer:
SIHK105N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

24A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SIHK

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.105Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

51nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

142W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

9.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay power MOSFET med fast body diode og 4. generation af E-serien teknologi. Den har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i applikationer som f.eks. strømforsyninger til skiftetilstand, serverstrømforsyninger og telekommunikationsstrømforsyninger.

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links