Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-varenummer:
- 268-8309
- Producentens varenummer:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 87,07
(ekskl. moms)
Kr. 108,838
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.050 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 43,535 | Kr. 87,07 |
| 50 - 98 | Kr. 39,12 | Kr. 78,24 |
| 100 - 248 | Kr. 32,015 | Kr. 64,03 |
| 250 - 998 | Kr. 31,38 | Kr. 62,76 |
| 1000 + | Kr. 24,16 | Kr. 48,32 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8309
- Producentens varenummer:
- SIHK105N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.105Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 142W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 9.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.105Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 142W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 9.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V drain-kildespænding, 24 A kontinuerlig drain-strøm - SIHK105N60EF-T1GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals halvlederkontakt, der er designet til strømkonvertering og koblingsopgaver i industriel elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde og monteres på printkort i en 8-benet pakke, hvilket giver en balance mellem koblingsevne og termisk håndtering, der er velegnet til krævende elektriske styringsmiljøer.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 24 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme • 0,105 Ω Rds(on) reducerer ledningstab under drift • 51 nC gate-ladning giver mulighed for kontrolleret omskiftning • 142 W effekttab hjælper med håndtering af høj effekt på printkort • ±30 V porttolerance muliggør bred portdrevmargen
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrev invertertrin • Ideel til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Anvendes til DC-DC-konvertering i automatiseringssystemer • Kan bruges til switch-mode effektregulatorer i maskiner • Velegnet til strømkobling i elektriske distributionsenheder
Hvilke termiske ekstremer kan denne enhed tolerere under drift?
Den er klassificeret til drift fra -55 °C op til maks. 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske termiske miljøer.
Hvor mange ben og hvilken monteringstype kræves der på et kort?
Den leveres i en 8-benet konfiguration, der er beregnet til printkortmontering i et PowerPAK 10 x 12-footprint.
Hvilke typer gate-driverbegrænsninger skal overholdes?
Enheden accepterer op til 30 V mellem gate og kilde, så gate-drive-kredsløb bør forblive inden for denne grænse for at undgå skader.
Hvordan opfylder enheden miljømæssige materialebegrænsninger?
Den er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket angiver overholdelse af begrænsede farlige stoffer.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF