Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 42,79

(ekskl. moms)

Kr. 53,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 49Kr. 42,79
50 - 99Kr. 42,04
100 - 249Kr. 41,14
250 - 999Kr. 40,24
1000 +Kr. 39,49

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
279-9918
Producentens varenummer:
SIHK155N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

18A

Drain source spænding maks. Vds

600V

Serie

SIHK

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.159Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

156W

Portkildespænding maks.

±30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

38nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

9.9mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET med Fast Body-diode, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.

4. generation af E-seriens teknologi

Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet

Avalanche-energimærke

Reduceret skifte- og ledningstab

Relaterede links