Vishay N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-varenummer:
- 268-8313
- Producentens varenummer:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 82,58
(ekskl. moms)
Kr. 103,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.996 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 41,29 | Kr. 82,58 |
| 50 - 98 | Kr. 37,10 | Kr. 74,20 |
| 100 - 248 | Kr. 30,445 | Kr. 60,89 |
| 250 + | Kr. 29,845 | Kr. 59,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8313
- Producentens varenummer:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.125Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 132W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 9.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.125Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 132W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 9.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 21 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK125N60EF-T1GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til strømkonvertering og styring på printkort. Den fungerer over et bredt termisk område og er beregnet til anvendelser, der kræver robust spændingshåndtering og moderat strømkapacitet i et printmonteret PowerPAK-hus.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-kapacitet til højspændingsswitching
• 21 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil strømforsyning
• 0.125 Ω lav Rds(on) for at reducere ledningstab
• 132 W effekttab til termisk hovedrum
• 45 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• 30 V gate-source-klassificering til fleksible gate-drivniveauer
• 21 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil strømforsyning
• 0.125 Ω lav Rds(on) for at reducere ledningstab
• 132 W effekttab til termisk hovedrum
• 45 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• 30 V gate-source-klassificering til fleksible gate-drivniveauer
Anvendelser
• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Ideel til frontender med højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med isolerede gate-drivere i strømomformere
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin
• Velegnet til inverterkredsløb i systemer med vedvarende energi
• Ideel til frontender med højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med isolerede gate-drivere i strømomformere
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin
• Velegnet til inverterkredsløb i systemer med vedvarende energi
Hvilken pakke leveres til printkortmontering og termisk styring?
Komponenten leveres i en PowerPAK 10x12-pakke til overflademontering, der er designet til printkortmontering for at hjælpe med varmeoverførsel til kortet og lette loddebaserede termiske veje.
Hvilke termiske ekstremer kan enheden modstå under drift?
Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug i miljøer med betydelige temperaturvariationer.
Hvordan opfører enheden sig som en gate-drevet kontakt?
Det er en N-kanal MOSFET med forstærkning, der kræver en positiv gate-source-spænding op til dens 30 V grænse for ledning, og dens typiske gate-ladning på 45 nC informerer om skifterenergiberegninger.
Er der angivet miljømæssige eller lovgivningsmæssige egenskaber?
Enheden er i overensstemmelse med RoHS-kravene for begrænsede stoffer, hvilket er i overensstemmelse med standardmiljødirektiver for elektroniske komponenter.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay N-Kanal 36 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH
- Vishay N-Kanal 48 A 650 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiH