Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK
- RS-varenummer:
- 268-8313
- Producentens varenummer:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 82,58
(ekskl. moms)
Kr. 103,22
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.996 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | Kr. 41,29 | Kr. 82,58 |
| 50 - 98 | Kr. 37,10 | Kr. 74,20 |
| 100 - 248 | Kr. 30,445 | Kr. 60,89 |
| 250 + | Kr. 29,845 | Kr. 59,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 268-8313
- Producentens varenummer:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Emballagetype | PowerPAK 10 x 12 | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.125Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 132W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 9.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Emballagetype PowerPAK 10 x 12 | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.125Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 132W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 9.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 21 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK125N60EF-T1GE3
Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til strømkonvertering og styring på printkort. Den er velegnet til krævende elektriske og elektroniske systemer, hvor der kræves høj drain-til-kilde-spændingshåndtering og betydelig strømkapacitet. Enheden leveres i en kompakt PowerPAK 10x12-pakke til printkortmontering og er beregnet til anvendelser, der fungerer over et bredt temperaturområde.
Egenskaber og fordele:
• 650 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 21 A kontinuerlig drænstrøm understøtter kraftig belastning
• 0,125 Ω Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrøm
• 45 nC typisk portladning muliggør effektiv portdrevstyring
• 132 W effekttab muliggør betydelig termisk belastning
• 21 A kontinuerlig drænstrøm understøtter kraftig belastning
• 0,125 Ω Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrøm
• 45 nC typisk portladning muliggør effektiv portdrevstyring
• 132 W effekttab muliggør betydelig termisk belastning
Anvendelser
• Velegnet til industrielle motordrev invertertrin
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger i automatiseringssystemer
• Anvendes til switch-mode strømkonvertering i elektrisk udstyr
• Kan bruges til trækkraft- og konverteringsmoduler med medium effekt
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger i automatiseringssystemer
• Anvendes til switch-mode strømkonvertering i elektrisk udstyr
• Kan bruges til trækkraft- og konverteringsmoduler med medium effekt
Hvilken spændingsbelastning kan den modstå i koblingskredsløb?
Den kan håndtere op til 650 V mellem drain og kilde, hvilket gør den velegnet til højspændingstopologier.
Hvordan påvirker gate-ladning drevdesign?
En typisk gate-ladning på 45 nC informerer gate-driverstrøm og beregninger af koblingstab under overgangshændelser.
Hvilke termiske ekstremer kan den fungere i?
Driftsgrænser spænder fra -55 °C i den lave ende til 150 °C i den høje ende for samlingstemperaturer.
Hvor mange ben og hvilken monteringstype bruger den?
Det er en 8-benet enhed, der er beregnet til printkortmontering i et PowerPAK 10 x 12-footprint.
Hvad er den maksimalt tilladte gate-spænding?
Porten kan drives op til 30 V i forhold til kilden uden at overskride dens port-kilde-klassificering.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 21 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 30 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 47 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 24 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 18 A 600 V Forbedring PowerPAK 10 x 12, SIHK
- Vishay Type N-Kanal 23 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF
- Vishay Type N-Kanal 16 A 650 V Forbedring PowerPAK 8 x 8 L, EF