Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 74,65

(ekskl. moms)

Kr. 93,312

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.996 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 48Kr. 37,325Kr. 74,65
50 - 98Kr. 33,585Kr. 67,17
100 - 248Kr. 27,525Kr. 55,05
250 +Kr. 26,965Kr. 53,93

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
268-8313
Producentens varenummer:
SIHK125N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SIHK

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.125Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45nC

Portkildespænding maks.

±30 V

Effektafsættelse maks. Pd

132W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

9.9mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay effekt-MOSFET med hurtig husdiode og 4. generation af E-seriens teknologi har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links