Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 26.626,00

(ekskl. moms)

Kr. 33.282,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 10. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 13,313Kr. 26.626,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
268-8312
Producentens varenummer:
SIHK125N60EF-T1GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Monteringstype

Printmontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.125Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45nC

Effektafsættelse maks. Pd

132W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

9.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Vishay effekt-MOSFET med hurtig husdiode og 4. generation af E-seriens teknologi har reduceret skifte- og ledningstab, og den bruges i anvendelser som f.eks. switch-mode strømforsyninger, serverstrømforsyninger og effektfaktorkorrektionsstrømforsyninger

Lav effektiv kapacitet

Nominel lavineenergi

Lavt tal for fortjeneste

Relaterede links