Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

RS-varenummer:: 268-8312
Producentens varenummer:: SIHK125N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 32.314,00

(ekskl. moms)

Kr. 40.392,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 28. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 16,157	Kr. 32.314,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 268-8312
Producentens varenummer:: SIHK125N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	21A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.125Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	45nC
	Effektafsættelse maks. Pd	132W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	9.9mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.125Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC
	Effektafsættelse maks. Pd 132W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 9.9mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 21 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK125N60EF-T1GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til strømkonvertering og styring på printkort. Den er velegnet til krævende elektriske og elektroniske systemer, hvor der kræves høj drain-til-kilde-spændingshåndtering og betydelig strømkapacitet. Enheden leveres i en kompakt PowerPAK 10x12-pakke til printkortmontering og er beregnet til anvendelser, der fungerer over et bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 21 A kontinuerlig drænstrøm understøtter kraftig belastning
• 0,125 Ω Rds(on) reducerer ledningstab ved driftsstrøm
• 45 nC typisk portladning muliggør effektiv portdrevstyring
• 132 W effekttab muliggør betydelig termisk belastning

Anvendelser

• Velegnet til industrielle motordrev invertertrin
• Ideel til højspændingsstrømforsyninger i automatiseringssystemer
• Anvendes til switch-mode strømkonvertering i elektrisk udstyr
• Kan bruges til trækkraft- og konverteringsmoduler med medium effekt

Hvilken spændingsbelastning kan den modstå i koblingskredsløb?

Den kan håndtere op til 650 V mellem drain og kilde, hvilket gør den velegnet til højspændingstopologier.

Hvordan påvirker gate-ladning drevdesign?

En typisk gate-ladning på 45 nC informerer gate-driverstrøm og beregninger af koblingstab under overgangshændelser.

Hvilke termiske ekstremer kan den fungere i?

Driftsgrænser spænder fra -55 °C i den lave ende til 150 °C i den høje ende for samlingstemperaturer.

Hvor mange ben og hvilken monteringstype bruger den?

Det er en 8-benet enhed, der er beregnet til printkortmontering i et PowerPAK 10 x 12-footprint.

Hvad er den maksimalt tilladte gate-spænding?

Porten kan drives op til 30 V i forhold til kilden uden at overskride dens port-kilde-klassificering.