Vishay N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

RS-varenummer:: 268-8312
Producentens varenummer:: SIHK125N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, SIHK

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 268-8312
Producentens varenummer:: SIHK125N60EF-T1GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	21A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	PowerPAK 10 x 12
	Serie	SIHK
	Monteringstype	Printmontering
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.125Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	45nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	30V
	Effektafsættelse maks. Pd	132W
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	9.9mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype PowerPAK 10 x 12
	Serie SIHK
	Monteringstype Printmontering
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.125Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 30V
	Effektafsættelse maks. Pd 132W
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 9.9mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SIHK seriens MOSFET, 650 V maksimal drain-kildespænding, 21 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHK125N60EF-T1GE3

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til strømkonvertering og styring på printkort. Den fungerer over et bredt termisk område og er beregnet til anvendelser, der kræver robust spændingshåndtering og moderat strømkapacitet i et printmonteret PowerPAK-hus.

Egenskaber og fordele:

• 650 V drain-kapacitet til højspændingsswitching
• 21 A kontinuerlig afløbsstrøm for stabil strømforsyning
• 0.125 Ω lav Rds(on) for at reducere ledningstab
• 132 W effekttab til termisk hovedrum
• 45 nC typisk gate-ladning for forudsigelig koblingsenergi
• 30 V gate-source-klassificering til fleksible gate-drivniveauer

Anvendelser

• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Ideel til frontender med højspændingsmotordrev
• Anvendes sammen med isolerede gate-drivere i strømomformere
• Kan bruges til effektfaktorkorrektionstrin
• Velegnet til inverterkredsløb i systemer med vedvarende energi

Hvilken pakke leveres til printkortmontering og termisk styring?

Komponenten leveres i en PowerPAK 10x12-pakke til overflademontering, der er designet til printkortmontering for at hjælpe med varmeoverførsel til kortet og lette loddebaserede termiske veje.

Hvilke termiske ekstremer kan enheden modstå under drift?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug i miljøer med betydelige temperaturvariationer.

Hvordan opfører enheden sig som en gate-drevet kontakt?

Det er en N-kanal MOSFET med forstærkning, der kræver en positiv gate-source-spænding op til dens 30 V grænse for ledning, og dens typiske gate-ladning på 45 nC informerer om skifterenergiberegninger.

Er der angivet miljømæssige eller lovgivningsmæssige egenskaber?

Enheden er i overensstemmelse med RoHS-kravene for begrænsede stoffer, hvilket er i overensstemmelse med standardmiljødirektiver for elektroniske komponenter.