Vishay P-kanal-Kanal, MOSFET, -101.4 A -40 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 904-975
- Producentens varenummer:
- SIR4407DP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 1 enhed)*
Kr. 9,80
(ekskl. moms)
Kr. 12,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 9,80 |
| 10 - 24 | Kr. 6,39 |
| 25 - 99 | Kr. 3,76 |
| 100 - 499 | Kr. 3,67 |
| 500 + | Kr. 3,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 904-975
- Producentens varenummer:
- SIR4407DP-T1-UE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -101.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Emballagetype | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0045Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 88.3W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 82.7nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | ROHS | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -101.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Emballagetype PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0045Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 88.3W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 82.7nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser ROHS | ||
Længde 6.15mm | ||
Bredde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay P-kanal MOSFET fungerer som en pålidelig elektronisk kontakt, der er designet til at styre høj spænding og strøm effektivt. Den er specielt udviklet til forskellige strømstyringsanvendelser, hvilket sikrer robust ydeevne i krævende miljøer.
Fungerer ved en drain-source-spænding på -40 V for øget pålidelighed
Ultra-lav modstand i tændt tilstand sikrer minimalt effekttab under drift
Fuldt testet for R og UIS for at garantere ydeevne under stressede forhold
Giver en maksimal effekttab på 5,0 W, hvilket muliggør køligere drift