STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 11 A 900 V Forbedring, 3 Ben, TO-247 Nej
- RS-varenummer:
- 103-1995
- Producentens varenummer:
- STW12NK90Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 624,72
(ekskl. moms)
Kr. 780,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 630 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | Kr. 20,824 | Kr. 624,72 |
| 90 - 480 | Kr. 16,723 | Kr. 501,69 |
| 510 - 960 | Kr. 14,828 | Kr. 444,84 |
| 990 - 4980 | Kr. 12,536 | Kr. 376,08 |
| 5010 + | Kr. 12,078 | Kr. 362,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 103-1995
- Producentens varenummer:
- STW12NK90Z
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 900V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 880mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 113nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 230W | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11A | ||
Drain source spænding maks. Vds 900V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 880mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 113nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 230W | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V til 1.200 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 900 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 900 V Forbedring TO-247 Nej STW12NK90Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 9.2 A 900 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 900 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-247 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.8 A 900 V Forbedring TO-247 Nej STW7NK90Z
- STMicroelectronics Type N-Kanal 8 A 900 V Forbedring TO-247 Nej STW9NK90Z
