Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.4 A 55 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 124-8750
Producentens varenummer:: IRF7342TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.4 A 55 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 13.728,00

(ekskl. moms)

Kr. 17.160,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 23. marts 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
4000 +	Kr. 3,432	Kr. 13.728,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 124-8750
Producentens varenummer:: IRF7342TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.4A
	Drain source spænding maks. Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	SOIC
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	170mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	26nC
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	2W
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	4 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.5mm
	Længde	5mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.4A
	Drain source spænding maks. Vds 55V
	Serie HEXFET
	Emballagetype SOIC
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 170mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 2W
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 4 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.5mm
	Længde 5mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3,4A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2W maksimal effektafledning - IRF7342TRPBF

Denne power-MOSFET er beregnet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske enheder. Med en P-kanal-konfiguration er den velegnet til højtydende switching og forstærkning. Dens robuste specifikationer opfylder de væsentlige krav fra ingeniører og designere i automations- og elektronikbranchen.

Egenskaber og fordele

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 3,4 A

• Drain-source-spændingstolerance på op til 55V

• Overflademonteret design giver mulighed for enkle installationer

• Lav maksimal drain-source-modstand forbedrer energieffektiviteten

• Gate-tærskelspænding på 1 V fremmer pålidelig kobling

Anvendelsesområder

• Strømstyringskredsløb til forbedret energiudnyttelse

• Automationsudstyr, der kræver robuste skiftefunktioner

• Velegnet til motorstyringssystemer

• Bruges i effektomformere til elektronik

• Almindelig i batteristyringssystemer

Hvad er de termiske grænser for drift?

Den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.

Hvordan forbedrer denne komponent kredsløbets effektivitet?

Den lave Rds(on)-værdi reducerer strømtabet under drift og forbedrer dermed den samlede kredsløbseffektivitet.

Kan denne MOSFET håndtere pulserende strømme?

Ja, den kan klare pulserende afløbsstrømme på op til 27 A, hvilket er velegnet til transiente forhold.

Hvilken type emballage fås den i?

Den fås i en SO-8 overflademonteret pakke, hvilket optimerer layoutfleksibiliteten og fremstillingsprocesserne.

Er der en bestemt gate-spænding for optimal ydelse?

Gate-to-source-spændingen bør ideelt set holdes på ±20V for at opnå optimal ydeevne og lang levetid for enheden.