Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.4 A 55 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-varenummer:
- 124-8750
- Producentens varenummer:
- IRF7342TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*
Kr. 14.844,00
(ekskl. moms)
Kr. 18.556,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | Kr. 3,711 | Kr. 14.844,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-8750
- Producentens varenummer:
- IRF7342TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 55V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 26nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Højde | 1.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4mm | |
| Længde | 5mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 55V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Højde 1.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4mm | ||
Længde 5mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3,4A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2W maksimal effektafledning - IRF7342TRPBF
Denne power-MOSFET er beregnet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske enheder. Med en P-kanal-konfiguration er den velegnet til højtydende switching og forstærkning. Dens robuste specifikationer opfylder de væsentlige krav fra ingeniører og designere i automations- og elektronikbranchen.
Egenskaber og fordele
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 3,4 A
• Drain-source-spændingstolerance på op til 55V
• Overflademonteret design giver mulighed for enkle installationer
• Lav maksimal drain-source-modstand forbedrer energieffektiviteten
• Gate-tærskelspænding på 1 V fremmer pålidelig kobling
Anvendelsesområder
• Strømstyringskredsløb til forbedret energiudnyttelse
• Automationsudstyr, der kræver robuste skiftefunktioner
• Velegnet til motorstyringssystemer
• Bruges i effektomformere til elektronik
• Almindelig i batteristyringssystemer
Hvad er de termiske grænser for drift?
Den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.
Hvordan forbedrer denne komponent kredsløbets effektivitet?
Den lave Rds(on)-værdi reducerer strømtabet under drift og forbedrer dermed den samlede kredsløbseffektivitet.
Kan denne MOSFET håndtere pulserende strømme?
Ja, den kan klare pulserende afløbsstrømme på op til 27 A, hvilket er velegnet til transiente forhold.
Hvilken type emballage fås den i?
Den fås i en SO-8 overflademonteret pakke, hvilket optimerer layoutfleksibiliteten og fremstillingsprocesserne.
Er der en bestemt gate-spænding for optimal ydelse?
Gate-to-source-spændingen bør ideelt set holdes på ±20V for at opnå optimal ydeevne og lang levetid for enheden.