Infineon 2 Type P-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.4 A 55 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej IRF7342TRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 71,50

(ekskl. moms)

Kr. 89,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 1.980 enhed(er) afsendes fra 06. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 7,15Kr. 71,50
100 - 240Kr. 5,58Kr. 55,80
250 - 490Kr. 5,214Kr. 52,14
500 - 990Kr. 4,862Kr. 48,62
1000 +Kr. 4,51Kr. 45,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-8901
Producentens varenummer:
IRF7342TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.4A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Emballagetype

SOIC

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

170mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

26nC

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 3,4A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2W maksimal effektafledning - IRF7342TRPBF


Denne power-MOSFET er beregnet til effektiv strømstyring i forskellige elektroniske enheder. Med en P-kanal-konfiguration er den velegnet til højtydende switching og forstærkning. Dens robuste specifikationer opfylder de væsentlige krav fra ingeniører og designere i automations- og elektronikbranchen.

Egenskaber og fordele


• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 3,4 A

• Drain-source-spændingstolerance på op til 55V

• Overflademonteret design giver mulighed for enkle installationer

• Lav maksimal drain-source-modstand forbedrer energieffektiviteten

• Gate-tærskelspænding på 1 V fremmer pålidelig kobling

Anvendelsesområder


• Strømstyringskredsløb til forbedret energiudnyttelse

• Automationsudstyr, der kræver robuste skiftefunktioner

• Velegnet til motorstyringssystemer

• Bruges i effektomformere til elektronik

• Almindelig i batteristyringssystemer

Hvad er de termiske grænser for drift?


Den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket sikrer pålidelighed i forskellige miljøer.

Hvordan forbedrer denne komponent kredsløbets effektivitet?


Den lave Rds(on)-værdi reducerer strømtabet under drift og forbedrer dermed den samlede kredsløbseffektivitet.

Kan denne MOSFET håndtere pulserende strømme?


Ja, den kan klare pulserende afløbsstrømme på op til 27 A, hvilket er velegnet til transiente forhold.

Hvilken type emballage fås den i?


Den fås i en SO-8 overflademonteret pakke, hvilket optimerer layoutfleksibiliteten og fremstillingsprocesserne.

Er der en bestemt gate-spænding for optimal ydelse?


Gate-to-source-spændingen bør ideelt set holdes på ±20V for at opnå optimal ydeevne og lang levetid for enheden.

Relaterede links