Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 55 V, 3 ben, TO-220 FP, HEXFET IRFI3205PBF

RS-varenummer:: 124-8986
Producentens varenummer:: IRFI3205PBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 64 A 55 V, 3 ben, TO-220 FP, HEXFET IRFI3205PBF

Der er mulighed for mængderabat

Pris Pr. stk. (i rør á 50)**

Kr. 16,052

(ekskl. moms)

Kr. 20,065

(inkl. moms)

Udgået fra lager - restordre leveres når lager er tilgængeligt*

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Enheder	Pr stk.	Pr rør**
50 - 50	Kr. 16,052	Kr. 802,60
100 - 200	Kr. 12,842	Kr. 642,10
250 +	Kr. 12,04	Kr. 602,00

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 124-8986
Producentens varenummer:: IRFI3205PBF
Brand:: Infineon

N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 64A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 63W maksimal effektafledning - IRFI3205PBF

Denne MOSFET er velegnet til højeffektive anvendelser og tilbyder en løsning til forskellige elektroniske og elektriske systemer. Med avanceret behandling er den effektiv til strømstyring og switching-opgaver og fungerer som en nøglekomponent i moderne design. Dens Enhancement Mode-teknologi sikrer ensartet ydelse under forskellige driftsforhold.

Egenskaber og fordele

• Kontinuerlig afløbsstrøm på 64A understøtter højtydende applikationer
• 55V drain-source-spænding forbedrer kredsløbets pålidelighed
• Lav tændingsmodstand på 8mΩ mindsker strømtab
• Hurtige skiftehastigheder øger effektiviteten i højfrekvente applikationer
• Maksimal effektafledning på 63 W understøtter effektiv varmestyring
• TO-220-pakningsdesign giver nem installation i forskellige opstillinger

Anvendelsesområder

• Bruges i strømforsyninger til effektiv energiomdannelse
• Velegnet til DC-DC-konvertere, der håndterer høje strømme
• Ideel til motorstyring der kræver hurtig omskiftning
• Anvendes i inverterkredsløb inden for vedvarende energisystemer
• Bruges i strømstyringssystemer til elektriske køretøjer

Hvordan gavner den lave on-resistance ydeevnen?

Den lave tændingsmodstand reducerer varmetabet, øger effektiviteten og sikrer, at der er mere energi til rådighed for belastningen i stedet for at blive spildt som varme.

Hvad er den optimale gate-spænding for effektiv drift?

En optimal gatespænding på 10 V sikrer maksimal ledning og bekræfter pålidelig drift i applikationer med høj strøm.

Kan denne komponent håndtere pulserende strømme?

Ja, den er klassificeret til pulserende afløbsstrømme på op til 390 A, hvilket gør den velegnet til applikationer med kortvarig efterspørgsel.

Hvilket temperaturområde kan den arbejde inden for?

Den fungerer effektivt i et bredt temperaturområde fra -55 °C til +175 °C, hvilket imødekommer forskellige miljøforhold.

Er dette produkt kompatibelt med standard PCB-montering?

Ja, TO-220-pakkens design sikrer kompatibilitet med konventionel PCB-montering med gennemgående huller.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	64 A
Drain source spænding maks.	55 V
Kapslingstype	TO-220 FP
Serie	HEXFET
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	8 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	63 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Længde	10.75mm
Bredde	4.83mm
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Antal elementer per chip	1
Gate-ladning ved Vgs typisk	170 nC ved 10 V
Transistormateriale	Si
Højde	9.8mm
Driftstemperatur min.	-55 °C