Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.416,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.770,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 45.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,472Kr. 1.416,00
6000 - 12000Kr. 0,397Kr. 1.191,00
15000 +Kr. 0,373Kr. 1.119,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-9035
Producentens varenummer:
2N7002H6327XTSA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

300mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.4nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.3mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Højde

1mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 4 Ω maksimal drain source-modstand - 2N7002H6327XTSA2


Denne småsignal-forbedrings-MOSFET med N-kanal er designet til højhastighedsswitching i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og giver et kompakt koblingselement til kredsløb med lav strømstyrke, hvor kontrolleret ledning og hurtig gate-reaktion er påkrævet.

Egenskaber og fordele:


• 60 V drain-source-klassificering muliggør skift ved højere spænding
• 4 Ω maksimal Rds(on) reducerer ledningstab ved lave strømme
• 300 mA kontinuerlig drenstrøm understøtter små signalbelastninger
• 0.4 nC typisk gate-ladning giver hurtige skifteovergange
• 20 V gate-source-tolerance giver mulighed for fleksible driftsspændinger
• 500 mW effekttab styrer termisk belastning i kompakte layouter

Anvendelser


• Velegnet til niveauskift og signalskift i styreenheder
• Ideel til batteridrevne sensorinterface-kredsløb
• Anvendes sammen med små relæer og transistorudskiftning
• Kan bruges til beskyttelseskredsløb i forbrugerelektronik
• Velegnet til kompakte strømstyringsmoduler på kort

Hvilken hustype skal jeg forvente til planlægning af kortlayout?


Den leveres i en SOT-23-pakke til overflademontering, hvilket letter placeringen på tætte kort.

Hvordan påvirker temperaturen driftskapaciteten?


Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske miljøer og miljøer med høje temperaturer.

Hvilke mekaniske fodaftryk betyder det for komponentafstanden?


Komponenten måler 2,9 x 1,3 x 1 mm, hvilket er nyttigt ved beregning af afstand og placering af tilstødende komponenter.

Hvor mange terminaler er tilgængelige til skematisk og routing?


Enheden har tre ben, der er i overensstemmelse med 1-kanals MOSFET-topologi for nem routing.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.