Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS

RS-varenummer:: 752-7773
Elfa Distrelec varenummer:: 304-45-298
Producentens varenummer:: 2N7002H6327XTSA2
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, OptiMOS

Indhold (1 pakke af 100 enheder)*

Kr. 74,90

(ekskl. moms)

Kr. 93,60

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

47.700 enhed(er) afsendes fra 15. oktober 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
100 +	Kr. 0,749	Kr. 74,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 752-7773
Elfa Distrelec varenummer:: 304-45-298
Producentens varenummer:: 2N7002H6327XTSA2
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	300mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	4Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.4nC
	Effektafsættelse maks. Pd	500mW
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	1.3mm
	Længde	2.9mm
	Højde	1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 4Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.4nC
	Effektafsættelse maks. Pd 500mW
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 1.3mm
	Længde 2.9mm
	Højde 1mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 4 Ω maksimal drain source-modstand - 2N7002H6327XTSA2

Denne småsignal-forbedrings-MOSFET med N-kanal er designet til højhastighedsswitching i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et bredt omgivelsesområde og giver et kompakt koblingselement til kredsløb med lav strømstyrke, hvor kontrolleret ledning og hurtig gate-reaktion er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 60 V drain-source-klassificering muliggør skift ved højere spænding
• 4 Ω maksimal Rds(on) reducerer ledningstab ved lave strømme
• 300 mA kontinuerlig drenstrøm understøtter små signalbelastninger
• 0.4 nC typisk gate-ladning giver hurtige skifteovergange
• 20 V gate-source-tolerance giver mulighed for fleksible driftsspændinger
• 500 mW effekttab styrer termisk belastning i kompakte layouter

Anvendelser

• Velegnet til niveauskift og signalskift i styreenheder
• Ideel til batteridrevne sensorinterface-kredsløb
• Anvendes sammen med små relæer og transistorudskiftning
• Kan bruges til beskyttelseskredsløb i forbrugerelektronik
• Velegnet til kompakte strømstyringsmoduler på kort

Hvilken hustype skal jeg forvente til planlægning af kortlayout?

Den leveres i en SOT-23-pakke til overflademontering, hvilket letter placeringen på tætte kort.

Hvordan påvirker temperaturen driftskapaciteten?

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i barske miljøer og miljøer med høje temperaturer.

Hvilke mekaniske fodaftryk betyder det for komponentafstanden?

Komponenten måler 2,9 x 1,3 x 1 mm, hvilket er nyttigt ved beregning af afstand og placering af tilstødende komponenter.

Hvor mange terminaler er tilgængelige til skematisk og routing?

Enheden har tre ben, der er i overensstemmelse med 1-kanals MOSFET-topologi for nem routing.