Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Forbedring, 4 Ben, MN Nej IRF6648TRPBF
- RS-varenummer:
- 130-0948
- Producentens varenummer:
- IRF6648TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 25,27
(ekskl. moms)
Kr. 31,588
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 4.260 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,635 | Kr. 25,27 |
| 20 - 48 | Kr. 11,095 | Kr. 22,19 |
| 50 - 98 | Kr. 10,35 | Kr. 20,70 |
| 100 - 198 | Kr. 9,605 | Kr. 19,21 |
| 200 + | Kr. 8,88 | Kr. 17,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0948
- Producentens varenummer:
- IRF6648TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 86A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | MN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.5mm | |
| Bredde | 5.05 mm | |
| Længde | 6.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 86A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype MN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.5mm | ||
Bredde 5.05 mm | ||
Længde 6.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
DirectFET® effektkapsling er en overflademonteret power MOSFET kapslingsteknologi. DirectFET® MOSFET'er er en løsning til at reducere energitab, mens det designede areal krympes, til anvendelser i avancerede switching-opgaver.
Branchens laveste modstand ved tændt med de respektive bundarealer
Ekstremt lavt husmodstand for at minimere ledningstab
Meget effektiv dobbeltsidet køling forbedrer effekttæthed, omkostninger og pålidelighed betydeligt
Lav profil på kun 0,7 mm
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 86 A 60 V Forbedring MN Nej
- Infineon Type N-Kanal 86 A 60 V PQFN, OptiMOS 5 Nej
- Infineon Type N-Kanal 86 A 60 V PQFN, OptiMOS 5 Nej ISZ0702NLSATMA1
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej IRFR3709ZTRPBF
- Infineon Type N-Kanal 86 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 86 A 30 V Forbedring TO-252, HEXFET Nej
- Nexperia Type N-Kanal 86 A 60 V Forbedring LFPAK, PSM Nej PSMN7R5-60YLX
