Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 86 A 60 V Forbedring, 4 Ben, MN, DirectFET, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-0948
- Producentens varenummer:
- IRF6648TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 40,24
(ekskl. moms)
Kr. 50,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.240 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 20,12 | Kr. 40,24 |
| 20 - 48 | Kr. 17,58 | Kr. 35,16 |
| 50 - 98 | Kr. 16,455 | Kr. 32,91 |
| 100 - 198 | Kr. 15,335 | Kr. 30,67 |
| 200 + | Kr. 14,135 | Kr. 28,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0948
- Producentens varenummer:
- IRF6648TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 86A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Emballagetype | MN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36nC | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 89W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 86A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Emballagetype MN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36nC | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 89W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DirectFET® Power MOSFET, Infineon
DirectFET® effektkapsling er en overflademonteret power MOSFET kapslingsteknologi. DirectFET® MOSFET'er er en løsning til at reducere energitab, mens det designede areal krympes, til anvendelser i avancerede switching-opgaver.
Branchens laveste modstand ved tændt med de respektive bundarealer
Ekstremt lavt husmodstand for at minimere ledningstab
Meget effektiv dobbeltsidet køling forbedrer effekttæthed, omkostninger og pålidelighed betydeligt
Lav profil på kun 0,7 mm
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 86 A 60 V Forbedring MN HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 375 A 60 V Forbedring DirectFET HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 21 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 68 A 60 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 19 A 200 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 55 A 80 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 150 A 20 V Forbedring DirectFET, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 81 A 20 V Forbedring DirectFET, HEXFET