Infineon N-Kanal, MOSFET, 198 A 40 V Forbedring, 4 Ben, MX, DirectFET
- RS-varenummer:
- 130-0965
- Producentens varenummer:
- IRF7946TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 47,57
(ekskl. moms)
Kr. 59,462
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 23,785 | Kr. 47,57 |
| 20 - 48 | Kr. 21,395 | Kr. 42,79 |
| 50 - 98 | Kr. 19,935 | Kr. 39,87 |
| 100 - 198 | Kr. 18,44 | Kr. 36,88 |
| 200 + | Kr. 17,315 | Kr. 34,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0965
- Producentens varenummer:
- IRF7946TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 198A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | MX | |
| Serie | DirectFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 141nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 5.05mm | |
| Højde | 0.53mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.35mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 198A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype MX | ||
Serie DirectFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 141nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 5.05mm | ||
Højde 0.53mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.35mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon StrongIRFET serien er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Dette sortiment giver forbedret port-, lavine og dynamisk dv/dt robusthed, der er velegnet til industrielle lavfrekvensanvendelser, inklusive motorstyringer, el-værktøj, invertere og batteristyring, hvor ydelse og robusthed er afgørende.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.