Vishay N-Kanal, MOSFET, 29 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR632DP
- RS-varenummer:
- 134-9159
- Producentens varenummer:
- SIR632DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 134-9159
- Producentens varenummer:
- SIR632DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | SiR632DP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie SiR632DP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.25mm | ||
Bredde 5.26mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET op til Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 29 A 150 V Forbedring SO-8, SiR632DP
- Vishay N-Kanal 77.4 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 26.8 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay N-Kanal 430 A 20 V Forbedring SO-8
- Vishay Type P-Kanal 29 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay N-Kanal 70.2 A 150 V SO-8, N-Channel 150 V
- Vishay N-Kanal 59.7 A 150 V SO-8, N-Channel 150 V
- Vishay N-Kanal 146 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET