Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR632DP Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 13.119,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.398,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 11. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 4,373Kr. 13.119,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
134-9159
Producentens varenummer:
SIR632DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiR632DP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

41mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

14nC

Effektafsættelse maks. Pd

69.5W

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

5.26 mm

Længde

6.25mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET op til Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links