Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 29 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiR632DP
- RS-varenummer:
- 134-9723
- Producentens varenummer:
- SIR632DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 40,22
(ekskl. moms)
Kr. 50,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 285 enhed(er) afsendes fra 26. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 8,044 | Kr. 40,22 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 134-9723
- Producentens varenummer:
- SIR632DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 29A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | SiR632DP | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69.5W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bredde | 5.26 mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 29A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie SiR632DP | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69.5W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Bredde 5.26 mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET op til Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 29 A 150 V Forbedring SO-8, SiR632DP Nej
- Vishay Type N-Kanal 77.4 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR570DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 26.8 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR Nej SIR5710DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 33.8 A 150 V Forbedring PowerPAK SO-8, SiR Nej SIR5708DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 430 A 20 V Forbedring SO-8 Nej SIR178DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 59.7 A 150 V SO-8, N-Channel 150 V Nej SIR572DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 70.2 A 150 V SO-8, N-Channel 150 V Nej SiR578DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 77.4 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej