Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 77.4 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 18.312,00

(ekskl. moms)

Kr. 22.890,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 6,104Kr. 18.312,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
228-2905
Producentens varenummer:
SiR570DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

77.4A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

7.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

46.9nC

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 150 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links