Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 23.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej Si7454FDP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 60,81

(ekskl. moms)

Kr. 76,01

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 2.370 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 90Kr. 6,081Kr. 60,81
100 - 240Kr. 5,468Kr. 54,68
250 - 490Kr. 4,675Kr. 46,75
500 - 990Kr. 3,957Kr. 39,57
1000 +Kr. 3,65Kr. 36,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2829
Producentens varenummer:
Si7454FDP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

23.5A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

29.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17.4nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

39W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.12mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.

TrenchFET Gen IV effekt MOSFET

Meget lav RDS x QG-tal-of-Merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

Relaterede links