Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 23.5 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2829
- Producentens varenummer:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 64,63
(ekskl. moms)
Kr. 80,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.370 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 6,463 | Kr. 64,63 |
| 100 - 240 | Kr. 5,804 | Kr. 58,04 |
| 250 - 490 | Kr. 4,974 | Kr. 49,74 |
| 500 - 990 | Kr. 4,204 | Kr. 42,04 |
| 1000 + | Kr. 3,89 | Kr. 38,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2829
- Producentens varenummer:
- Si7454FDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 23.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 23.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal Power MOSFET bruges til DC/DC-primærside-switch, telekommunikation/server, motorstyring og synkron ensretning.
TrenchFET Gen IV effekt MOSFET
Meget lav RDS x QG-tal-of-Merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 23.5 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 65 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 51.4 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 126 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET