Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 51.4 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR876BDP-T1-RE3
- RS-varenummer:
- 228-2912
- Producentens varenummer:
- SiR876BDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 81,08
(ekskl. moms)
Kr. 101,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 21.720 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,108 | Kr. 81,08 |
| 100 - 240 | Kr. 7,63 | Kr. 76,30 |
| 250 - 490 | Kr. 6,904 | Kr. 69,04 |
| 500 - 990 | Kr. 6,493 | Kr. 64,93 |
| 1000 + | Kr. 6,074 | Kr. 60,74 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2912
- Producentens varenummer:
- SiR876BDP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 51.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42.7nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71.4W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 51.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42.7nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71.4W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 100 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 51.4 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej
- Vishay Type P-Kanal 71.9 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR681DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 23.5 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej Si7454FDP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 70.6 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR880BDP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SIR680DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 350.8 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR500DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR450DP-T1-RE3
- Vishay Type N-Kanal 146 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET Nej SiR580DP-T1-RE3