Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 77.4 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiR570DP-T1-RE3
- RS-varenummer:
- 228-2906
- Producentens varenummer:
- SiR570DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 109,58
(ekskl. moms)
Kr. 136,975
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 5.975 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 21,916 | Kr. 109,58 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2906
- Producentens varenummer:
- SiR570DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 77.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46.9nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 77.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46.9nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 150 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 77.4 A. 150 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR570DP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 51.4 A. 100 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR876BDP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 70.6 A. 80 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR880BDP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 23 8 ben TrenchFET Si7454FDP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 113 A 45 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR450DP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 126 A. 100 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR510DP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 146 A. 80 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR580DP-T1-RE3
- Vishay N-Kanal 80.3 A. 60 V PowerPAK SO-8, TrenchFET SiR186LDP-T1-RE3