Vishay N-Kanal, MOSFET, 60 A 30 V, 8 ben, PowerPAK SO-8 SIR158DP-T1-RE3

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 110,33

(ekskl. moms)

Kr. 137,91

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 22,066Kr. 110,33

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
134-9718
Producentens varenummer:
SIR158DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

60 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

PowerPAK SO-8

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

2,3 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.5V

Mindste tærskelspænding for port

1.2V

Effektafsættelse maks.

83 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

6.25mm

Antal elementer per chip

1

Gate-ladning ved Vgs typisk

87 nC ved 10 V

Bredde

5.26mm

Højde

1.12mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Gennemgangsspænding for diode

1.1V

N-kanal MOSFET, TrenchFET op til Gen III, Vishay Semiconductor



MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor

Relaterede links