Infineon N-Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-varenummer:: 145-8839
Producentens varenummer:: IRFS4615TRLPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Indhold (1 rulle af 800 enheder)*

Kr. 5.033,60

(ekskl. moms)

Kr. 6.292,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 29. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
800 +	Kr. 6,292	Kr. 5.033,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 145-8839
Producentens varenummer:: IRFS4615TRLPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	33A
	Drain source spænding maks. Vds	150V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	42mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	144W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	26nC
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.67mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	9.65mm
	Højde	4.83mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 33A
	Drain source spænding maks. Vds 150V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 42mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 144W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 26nC
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.67mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 9.65mm
	Højde 4.83mm
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 150 V maksimal drain source-spænding, 33 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFS4615TRLPBF

Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til effektomskiftning i overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til krævende termiske miljøer, samtidig med at den giver kontrolleret gate-drevet omskiftning til anvendelser med medium til høj strøm.

Egenskaber og fordele:

• 150 V drain-source-modstand muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 33 A kontinuerlig drænstrøm understøtter betydelige belastningsstrømme
• 42 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab under kraftig belastning
• 26 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelige drevkrav
• 144 W maks. effekttab håndterer høje effektniveauer
• 20 V gate-source-grænse beskytter mod overdreven gate-belastning

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-omformere i industrielle strømforsyninger
• Ideel til motordrevstrin, der kræver høj strøm
• Anvendes sammen med batteristyringssystemer, der har brug for højspændingsswitching
• Kan bruges til synkron ensretning i strømkonvertering
• Velegnet til højeffektsmoduler i barske miljøer

Hvilke termiske grænser regulerer langvarig drift?

Enheden er specificeret til at fungere fra -55 °C op til 175 °C, hvilket muliggør brug i høje temperatursystemer, hvor der forventes høje forbindelsestemperaturer.

Hvilken pakke og monteringstype kræves der?

Den leveres i en TO-263-pakke, der er beregnet til overflademontering på passende kobberarealjordmønstre til varmeafledning.

Hvordan påvirker gate-opladningen valg af driver?

Med en typisk samlet gate-ladning på 26 nC bør designere vælge drivere, der er i stand til at levere den krævede ladning inden for målswitching-tidsrammen for at begrænse overgangstab.

Hvilke spændingsbegrænsninger gælder for port og drain?

Den maksimalt tilladte gate-til-kilde-spænding er 20 V, mens mærkespændingen fra drain-til-kilde er 150 V, hvilket definerer sikre driftsgrænser for gate-drev og belastningstransienter.