Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 8.796,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.996,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 27. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
4000 +Kr. 2,199Kr. 8.796,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-9491
Producentens varenummer:
IRF9952TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P, Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.5A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SOIC

Serie

HEXFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

400mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

0.82V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.1nC

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 2,3A/3,5A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2W maksimal effektafledning - IRF9952TRPBF


Denne alsidige MOSFET leverer høj ydeevne i en kompakt indpakning, der integrerer både N-kanal- og P-kanal-konfigurationer. Den er designet til effektiv drift i forskellige elektroniske applikationer, hvilket sikrer effektivitet og pålidelighed. Med en maksimal drain-strøm på 3,5 A og en maksimal drain-source-spænding på 30 V er den velegnet til applikationer, der kræver robuste switching-funktioner.

Egenskaber og fordele


• Konfiguration med to kanaler øger designfleksibiliteten

• Overflademonteret design forenkler PCB-samling

• Lav modstand (150mΩ og 400mΩ) reducerer strømtab

• Drift ved høje temperaturer (+150 °C) sikrer pålidelighed under ekstreme forhold

• Forbedrede gate-ladningsegenskaber forbedrer skifteeffektiviteten

• Isoleret transistorkonfiguration minimerer krydstale for renere signaler

Anvendelsesområder


• Løsninger til strømstyring

• Elektriske køretøjssystemer til forbedret effektivitet

• Industriel automation og styring

• Vedvarende energisystemer for optimal ydeevne

• Forbrugerelektronik til forbedret enhedspræstation

Hvordan gavner isoleringen af denne enhed min applikation?


Den isolerede konfiguration minimerer interferens mellem kredsløb, sikrer rene signaler og forhindrer uønsket interaktion mellem komponenter.

Hvilket temperaturområde kan denne enhed håndtere under drift?


Den kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket gør den velegnet til ekstreme forhold.

Kan jeg bruge dette produkt i mit overflademonterede printkortdesign?


Ja, det overflademonterede design gør det nemt at integrere i PCB-layouts, hvilket optimerer pladsen og forbedrer den termiske ydeevne.

Hvilke faktorer skal jeg overveje, når jeg bruger dette til at skifte applikationer?


Sørg for, at den maksimale gate-source-spænding på ±20V ikke overskrides, og kontrollér, at gate-ladningen er på linje med din skiftefrekvens for at opnå optimal ydelse.

Hvordan påvirker specifikationerne min energieffektivitet?


Med lav on-modstand og høj kontinuerlig afløbsstrøm bidrager denne MOSFET til minimalt strømtab, hvilket forbedrer den samlede energieffektivitet i dine kredsløbsdesign.

Relaterede links