Infineon N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 2,3 A, 3,5 A 30 V, 8 ben, SOIC, HEXFET IRF9952TRPBF

RS-varenummer:: 827-3934
Producentens varenummer:: IRF9952TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon N/P-Kanal-Kanal, MOSFET, 2,3 A, 3,5 A 30 V, 8 ben, SOIC, HEXFET IRF9952TRPBF

Indhold (1 pakke af 20 enheder)**

Kr. 85,06

(ekskl. moms)

Kr. 106,32

(inkl. moms)

120 På lager for afsendelse samme dag*

1340 enheder til afsendelse inden for 4 arbejdsdag(e) (UK lager)

* Leveringsdatoer afhænger af den valgte mængde og leveringsadressen.

GRATIS levering for onlineordrer over kr 500,00

Enheder	Pr stk.	Pr pakke**
20 +	Kr. 4,253	Kr. 85,06

**Vejledende pris

RS-varenummer:: 827-3934
Producentens varenummer:: IRF9952TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 2,3A/3,5A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 2W maksimal effektafledning - IRF9952TRPBF

Denne alsidige MOSFET leverer høj ydeevne i en kompakt indpakning, der integrerer både N-kanal- og P-kanal-konfigurationer. Den er designet til effektiv drift i forskellige elektroniske applikationer, hvilket sikrer effektivitet og pålidelighed. Med en maksimal drain-strøm på 3,5 A og en maksimal drain-source-spænding på 30 V er den velegnet til applikationer, der kræver robuste switching-funktioner.

Egenskaber og fordele

• Konfiguration med to kanaler øger designfleksibiliteten
• Overflademonteret design forenkler PCB-samling
• Lav modstand (150mΩ og 400mΩ) reducerer strømtab
• Drift ved høje temperaturer (+150 °C) sikrer pålidelighed under ekstreme forhold
• Forbedrede gate-ladningsegenskaber forbedrer skifteeffektiviteten
• Isoleret transistorkonfiguration minimerer krydstale for renere signaler

Anvendelsesområder

• Løsninger til strømstyring
• Elektriske køretøjssystemer til forbedret effektivitet
• Industriel automation og styring
• Vedvarende energisystemer for optimal ydeevne
• Forbrugerelektronik til forbedret enhedspræstation

Hvordan gavner isoleringen af denne enhed min applikation?

Den isolerede konfiguration minimerer interferens mellem kredsløb, sikrer rene signaler og forhindrer uønsket interaktion mellem komponenter.

Hvilket temperaturområde kan denne enhed håndtere under drift?

Den kan fungere inden for et temperaturområde på -55 °C til +150 °C, hvilket gør den velegnet til ekstreme forhold.

Kan jeg bruge dette produkt i mit overflademonterede printkortdesign?

Ja, det overflademonterede design gør det nemt at integrere i PCB-layouts, hvilket optimerer pladsen og forbedrer den termiske ydeevne.

Hvilke faktorer skal jeg overveje, når jeg bruger dette til at skifte applikationer?

Sørg for, at den maksimale gate-source-spænding på ±20V ikke overskrides, og kontrollér, at gate-ladningen er på linje med din skiftefrekvens for at opnå optimal ydelse.

Hvordan påvirker specifikationerne min energieffektivitet?

Med lav on-modstand og høj kontinuerlig afløbsstrøm bidrager denne MOSFET til minimalt strømtab, hvilket forbedrer den samlede energieffektivitet i dine kredsløbsdesign.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	N, P
Drain-strøm kontinuerlig maks.	2,3 A, 3,5 A
Drain source spænding maks.	30 V
Serie	HEXFET
Kapslingstype	SOIC
Monteringstype	Overflademontering
Benantal	8
Drain source modstand maks.	150 mΩ, 400 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	1V
Mindste tærskelspænding for port	1V
Effektafsættelse maks.	2 W
Transistorkonfiguration	Isoleret
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Antal elementer per chip	2
Bredde	4mm
Transistormateriale	Si
Driftstemperatur maks.	+150 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk	6,1 nC ved 10 V, 6,9 nC ved 10 V
Længde	5mm
Højde	1.5mm
Driftstemperatur min.	-55 °C