MPN

Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.5 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-varenummer:: 165-5912
Producentens varenummer:: IRF7105TRPBF
Brand:: Infineon

Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.5 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 4000 enheder)*

Kr. 11.660,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.576,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
4000 - 4000	Kr. 2,915	Kr. 11.660,00
8000 +	Kr. 2,769	Kr. 11.076,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-5912
Producentens varenummer:: IRF7105TRPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P, Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	3.5A
	Drain source spænding maks. Vds	25V
	Emballagetype	SOIC
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	400mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	2W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	10nC
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1.5mm
	Længde	5mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P, Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A
	Drain source spænding maks. Vds 25V
	Emballagetype SOIC
	Serie HEXFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 400mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 2W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1.5mm
	Længde 5mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

Dobbelt N/P-kanal Power MOSFET, Infineon

Infineons dual power MOSFET'er integrerer to HEXFET® enheder for at give en pladsbesparende og lønsom koblingsløsning med høj komponenttæthed til konstruktioner, hvor kortets størrelse er afgørende. Et udvalg af kapslinger er tilgængelige og udviklere kan vælge dual N/P-kanal-konfigurationen.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.