Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.5 A 25 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 20 enheder)*

Kr. 144,74

(ekskl. moms)

Kr. 180,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 6.560 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
20 - 180Kr. 7,237Kr. 144,74
200 - 480Kr. 6,874Kr. 137,48
500 - 980Kr. 6,579Kr. 131,58
1000 - 1980Kr. 6,138Kr. 122,76
2000 +Kr. 5,782Kr. 115,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-8829
Elfa Distrelec varenummer:
304-44-450
Producentens varenummer:
IRF7105TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.5A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

HEXFET

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

400mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

10nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Isoleret

Standarder/godkendelser

No

Længde

5mm

Højde

1.5mm

Bredde

4 mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Dobbelt N/P-kanal Power MOSFET, Infineon


Infineons dual power MOSFET'er integrerer to HEXFET® enheder for at give en pladsbesparende og lønsom koblingsløsning med høj komponenttæthed til konstruktioner, hvor kortets størrelse er afgørende. Et udvalg af kapslinger er tilgængelige og udviklere kan vælge dual N/P-kanal-konfigurationen.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links